• packageimg
packageimg

FGL40N120ANTU

NPT IGBTs with 1200V Maximum Voltage

数量 単価(USD) 合計金額
1 $4.042 $4.04
200 $1.566 $313.20
375 $1.509 $565.88
1125 $1.483 $1,668.38

在庫：7,762

*価格は参考値です。
  • 90日間のアフター保証
  • 365日の品質保証
  • 正規品保証
  • 7*24時間サービス検疫

迅速な見積もり

見積もりリクエストを送信してください FGL40N120ANTU このフォームを使用してください。また、次の電子メールでご連絡いただくこともできます Email: [email protected], 12時間以内に返信させていただきます。

概要 FGL40N120ANTU

Featuring NPT technology, the FGL40N120ANTU IGBT from ON Semiconductor's AN series offers a cutting-edge solution for various applications such as induction heating, motor control, inverters, and UPS systems. With its low conduction and switching losses, this IGBT ensures high performance and energy efficiency, making it a valuable asset for industries striving for optimal power management solutions

主な特長

  • Wide operating temperature range
  • High surge immunity
  • Low electromagnetic interference
  • High vibration resistance

応用

  • Agricultural Equipment
  • Commercial Refrigeration
  • Marine Applications

仕様

以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。

Status Last Shipments Compliance PbAHP
Package Type TO-264-3 Case Outline 340CA
MSL Type NA MSL Temp (°C) 0
Container Type TUBE Container Qty. 375
ON Target N V(BR)CES Typ (V) 1200
IC Max (A) 40 VCE(sat) Typ (V) 2.6
Eoff Typ (mJ) 1.1 Eon Typ (mJ) 2.3
Gate Charge Typ (nC) 220 Short Circuit Withstand (µs) 10
PD Max (W) 500 Co-Packaged Diode No
Pricing ($/Unit) Price N/A

保証と返品

保証、返品、および追加情報

  • QAと返品ポリシー

    部品の品質保証: 365 日

    返品・返金：90日以内

    返品・交換：90日以内

  • 配送と梱包

    配送: たとえば、FedEx、JP、UPS、DHL、SAGAWA、YTC など。

    部品パッケージ保証: 100% ESD 帯電防止機能を備えた当社のパッケージは、高い強度と優れた緩衝機能を備えています。

  • 支払い

    たとえば、VISA、MasterCard、Western Union、PayPal、MoneyGram、楽天ペイなどのチャネルです。

    特定の支払いチャネルの好みや要件がある場合は、当社の営業チームにご連絡ください。

BC547BTF

BC547BTF

Transistor BC547BTF from Fairchild
MAT02EH

MAT02EH

TO-78 Dual Mono Matched Line Transmitter IC
IRL2703PBF

IRL2703PBF

N-channel power MOSFET
SI4804BDY-T1-E3

SI4804BDY-T1-E3

2-Element design in a compact size
IMZ1AT108

IMZ1AT108

Small signal bipolar transistor with 0.15A collector current and 50V collector-emitter breakdown voltage, consisting of NPN and PNP silicon elements
IRF640SPBF

IRF640SPBF

High-power N-channel MOSFET capable of handling 18A current at 200V voltage
BFT92,215

BFT92,215

PNP 5 GHz wideband transistor labeled BFT92,215
IRFB31N20DPBF

IRFB31N20DPBF

Power Field-Effect Transistor, 31A I(D), 200V, 0.082ohm
CSD16570Q5BT

CSD16570Q5BT

MOSFET 25V NCH NexFET Pwr MOSFET
FQT13N06LTF

FQT13N06LTF

The 4-Pin SOT-223 FQT13N06LTF MOSFET Transistor features an N-channel design, capable of handling currents up to 2.8 A and voltages up to 60 V