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IRF640SPBF

High-power N-channel MOSFET capable of handling 18A current at 200V voltage

数量 単価(USD) 合計金額
1 $1.211 $1.21
10 $1.024 $10.24
30 $0.920 $27.60
100 $0.804 $80.40
500 $0.753 $376.50
1000 $0.730 $730.00

在庫：4,443

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概要 IRF640SPBF

N-Channel 200 V 18A (Tc) 3.1W (Ta), 130W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)

主な特長

  • Fully compatible with all major logic families
  • Wide input voltage range: 3V to 15V
  • Achieves high-speed operation without compromising reliability

仕様

以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。

Product Category MOSFET RoHS Details
REACH Details Technology Si
Mounting Style SMD/SMT Package / Case D2PAK-3 (TO-263-3)
Transistor Polarity N-Channel Number of Channels 1 Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 200 V Id - Continuous Drain Current 18 A
Rds On - Drain-Source Resistance 180 mOhms Vgs - Gate-Source Voltage - 20 V, + 20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage 2 V Qg - Gate Charge 70 nC
Minimum Operating Temperature - 55 C Maximum Operating Temperature + 150 C
Pd - Power Dissipation 125 W Channel Mode Enhancement
Series IRF Brand Vishay Semiconductors
Configuration Single Fall Time 36 ns
Forward Transconductance - Min 6.7 S Product Type MOSFET
Rise Time 51 ns Factory Pack Quantity 1000
Subcategory MOSFETs Transistor Type 1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time 45 ns Typical Turn-On Delay Time 14 ns
Unit Weight 0.139332 oz

保証と返品

保証、返品、および追加情報

  • QAと返品ポリシー

    部品の品質保証: 365 日

    返品・返金：90日以内

    返品・交換：90日以内

  • 配送と梱包

    配送: たとえば、FedEx、JP、UPS、DHL、SAGAWA、YTC など。

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