GT30J301
Transistor 30A, 600V, N-Channel IGBT
在庫:6,849
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部品番号 : GT30J301
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パッケージ/ケース : TO-3PN-3
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Brand : TOSHIBA
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Components Classification : Single IGBTs
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日付シート : GT30J301 データシート (PDF)
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Series : GT30J301
概要 GT30J301
The GT30J301 is a high-performance IGBT transistor designed for a variety of applications requiring high power dissipation and fast switching speeds. With a DC collector current of 30A and a collector emitter saturation voltage of 2.7V, this transistor can handle a continuous current of up to 30A and pulsed currents of up to 60A. Its TO-3P case style and through-hole termination make it easy to integrate into existing circuit designs
主な特長
仕様
以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。
Product Category | IGBT Transistors | Technology | Si |
Package / Case | TO-3PN-3 | Mounting Style | Through Hole |
Configuration | Single | Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 600 V |
Maximum Gate Emitter Voltage | - 20 V, + 20 V | Minimum Operating Temperature | - 55 C |
Maximum Operating Temperature | + 150 C | Series | GT30J301 |
Brand | Toshiba | Continuous Collector Current Ic Max | 30 A |
Height | 19 mm | Length | 15.9 mm |
Product Type | IGBT Transistors | Subcategory | IGBTs |
Width | 4.8 mm |
保証と返品
保証、返品、および追加情報
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