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HN4B102J

Bipolar Transistors - BJT Type

在庫：5,940

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概要 HN4B102J

MOS Gate Drive ApplicationsSwitching Applications• Small footprint due to a small and thin package• High DC current gain : PNP hFE = 200 to 500 (IC =－0.2 A)                                     : NPN hFE = 200 to 500 (IC = 0.2 A)• Low collector-emitter saturation : PNP VCE (sat) =－ 0.20 V (max)                                                     : NPN VCE (sat) = 0.14 V (max)• High-speed switching : PNP tf = 40 ns (typ.)                                     : NPN tf = 45 ns (typ.)

主な特長

  • Stable performance under pressure
  • Robust construction for longevity
  • Easy integration with existing systems

応用

    Renewable energy: Harnessing nature's power

仕様

以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。

Product Category Bipolar Transistors - BJT Mounting Style SMD/SMT
Package / Case SOT-25-5 Transistor Polarity NPN, PNP
Configuration Dual Collector- Emitter Voltage VCEO Max 30 V
Collector- Base Voltage VCBO 60 V, 30 V Emitter- Base Voltage VEBO 7 V
Maximum DC Collector Current 8 A Minimum Operating Temperature - 55 C
Maximum Operating Temperature + 150 C Series HN4B102
Brand Toshiba Continuous Collector Current - 1.8 A, 2 A
DC Collector/Base Gain hfe Min 200 DC Current Gain hFE Max 500
Product Type BJTs - Bipolar Transistors Subcategory Transistors

保証と返品

保証、返品、および追加情報

  • QAと返品ポリシー

    部品の品質保証: 365 日

    返品・返金：90日以内

    返品・交換：90日以内

  • 配送と梱包

    配送: たとえば、FedEx、JP、UPS、DHL、SAGAWA、YTC など。

    部品パッケージ保証: 100% ESD 帯電防止機能を備えた当社のパッケージは、高い強度と優れた緩衝機能を備えています。

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