IAUC120N04S6L005ATMA1

Name: IAUC120N04S6L005ATMA1
Brand: Infineon Technologies
Rating: 4.5 (10 reviews)

20V-40V MOSFET for various electronic applications

在庫：5,539

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部品番号 : IAUC120N04S6L005ATMA1
パッケージ/ケース : TDSON-8
Brand : Infineon Technologies
Components Classification : Single FETs, MOSFETs
日付シート : IAUC120N04S6L005ATMA1 データシート (PDF)
Series : IAUC120N04S6L005

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概要 IAUC120N04S6L005ATMA1

N-Channel 40 V 120A (Tj) 187W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-53

仕様

以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。

Series	OptiMOS™	Product Status	Active
FET Type	N-Channel	Technology	Si
Drain to Source Voltage (Vdss)	40 V	Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	120A (Tj)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V	Rds On (Max) @ Id, Vgs	0.55mOhm @ 60A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	2V @ 130µA	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	177 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±16V	Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	11203 pF @ 25 V
Power Dissipation (Max)	187W (Tc)	Operating Temperature	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade	Automotive	Qualification	AEC-Q101
Mounting Type	Surface Mount	Supplier Device Package	PG-TDSON-8-53
Package / Case	TDSON-8	Base Product Number	IAUC120
Manufacturer	Infineon	Product Category	MOSFET
Mounting Style	SMD/SMT	Transistor Polarity	N-Channel
Number of Channels	1 Channel	Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	40 V
Id - Continuous Drain Current	120 A	Rds On - Drain-Source Resistance	550 uOhms
Vgs - Gate-Source Voltage	- 16 V, + 16 V	Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	2 V
Qg - Gate Charge	136 nC	Minimum Operating Temperature	- 55 C
Maximum Operating Temperature	+ 175 C	Pd - Power Dissipation	187 W
Channel Mode	Enhancement	Tradename	OptiMOS
Brand	Infineon Technologies	Configuration	Single
Fall Time	28 ns	Product Type	MOSFET
Rise Time	8 ns	Factory Pack Quantity	5000
Subcategory	MOSFETs	Transistor Type	1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time	57 ns	Typical Turn-On Delay Time	9 ns
Part # Aliases	IAUC120N04S6L005 SP001723538

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