IAUC90N10S5N062ATMA1

Name: IAUC90N10S5N062ATMA1
Brand: Infineon Technologies
Rating: 4.5 (10 reviews)

High-capacity N-channel transistor designed for use in automotive electronic systems, capable of handling up to 100V and 90A of current flow

在庫：8,678

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部品番号 : IAUC90N10S5N062ATMA1
パッケージ/ケース : TDSON-8
Brand : Infineon Technologies
Components Classification : Single FETs, MOSFETs
日付シート : IAUC90N10S5N062ATMA1 データシート (PDF)
Series : IAUC90N10S5N062

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概要 IAUC90N10S5N062ATMA1

N-Channel 100 V 90A (Tc) 115W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-34

仕様

以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。

Series	IAUC90N10	Product Status	Active
FET Type	N-Channel	Technology	Si
Drain to Source Voltage (Vdss)	100 V	Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	90A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V	Rds On (Max) @ Id, Vgs	6.2mOhm @ 45A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	3.8V @ 59µA	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	36 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V	Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	3275 pF @ 50 V
Power Dissipation (Max)	115W (Tc)	Operating Temperature	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade	Automotive	Qualification	AEC-Q101
Mounting Type	Surface Mount	Supplier Device Package	PG-TDSON-8-34
Package / Case	TDSON-8	Base Product Number	IAUC90
Manufacturer	Infineon	Product Category	MOSFET
RoHS	Details	Mounting Style	SMD/SMT
Transistor Polarity	N-Channel	Number of Channels	1 Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	100 V	Id - Continuous Drain Current	90 A
Rds On - Drain-Source Resistance	6.2 mOhms	Vgs - Gate-Source Voltage	- 20 V, + 20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	3 V	Qg - Gate Charge	36 nC
Minimum Operating Temperature	- 55 C	Maximum Operating Temperature	+ 175 C
Pd - Power Dissipation	115 W	Channel Mode	Enhancement
Brand	Infineon Technologies	Fall Time	2 ns
Product Type	MOSFET	Rise Time	2 ns
Factory Pack Quantity	5000	Subcategory	MOSFETs
Transistor Type	1 N-Channel	Typical Turn-Off Delay Time	10 ns
Typical Turn-On Delay Time	6 ns	Part # Aliases	IAUC90N10S5N062 SP001468520
Unit Weight	0.003683 oz

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