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IHW20N120R3

TO-247 package for IHW20N120R3 Insulated Gate Bipolar Transistor

数量 単価(USD) 合計金額
1 $2.342 $2.34
10 $2.075 $20.75
30 $1.908 $57.24
100 $1.736 $173.60
500 $1.659 $829.50
1000 $1.625 $1,625.00

在庫：5,028

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概要 IHW20N120R3

Nestled within its robust TO-247 package, this technological marvel boasts not only exceptional thermal conductivity but also mechanical resilience, ensuring optimal performance under diverse operating conditions. Whether integrated through surface mount or traditional through-hole assembly methods, its versatility in PCB design offers engineers the flexibility needed for seamless integration into their systems

主な特長

  • Powerful monolithic body diode with low forward voltage
  • designed for soft commutation only
  • TRENCHSTOP™ technology applications offers:
  • - very tight parameter distribution
  • - high ruggedness, temperature stable behavior
  • - low VCEsat
  • - easy parallel switching capability due to positive
  • temperature coefficient in VCEsat
  • Low EMI
  • Qualified according to JESD-022 for target applications
  • Pb-free lead plating; RoHS compliant
  • Complete product spectrum and PSpice Models:
  • http://www.infineon.com/igbt/

応用

POWER CONTROL

仕様

以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。

Product Category IGBT Transistors RoHS Details
Technology Si Package / Case TO-247-3
Mounting Style Through Hole Configuration Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 1.2 kV Collector-Emitter Saturation Voltage 1.48 V
Maximum Gate Emitter Voltage - 20 V, 20 V Continuous Collector Current at 25 C 40 A
Pd - Power Dissipation 310 W Minimum Operating Temperature - 40 C
Maximum Operating Temperature + 175 C Series RC
Brand Infineon Technologies Continuous Collector Current 40 A
Gate-Emitter Leakage Current 100 nA Product Type IGBT Transistors
Factory Pack Quantity 240 Subcategory IGBTs
Tradename TRENCHSTOP Part # Aliases SP000437702 IHW2N12R3XK IHW20N120R3FKSA1
Unit Weight 0.213619 oz

保証と返品

保証、返品、および追加情報

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    部品の品質保証: 365 日

    返品・返金：90日以内

    返品・交換：90日以内

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