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IRF3708PBF

High-performance IRF3708PBF MOSFET with 30V voltage, 62A current, 12mOhm resistance, and 24nC charge

在庫：6,924

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概要 IRF3708PBF

Benefits: RoHS Compliant; Low RDS(on); Industry-leading quality; Dynamic dv/dt Rating; Fast Switching; Fully Avalanche Rated; 175C Operating Temperature

主な特長

  • Drain to source voltage Vds is 30V
  • Gate to source voltage is ±12V
  • Very low RDS(on) at 4.5V Vgs
  • On resistance Rds(on) of 8mohm at Vgs of 10V
  • Power dissipation Pd of 87W at 25°C
  • Continuous drain current Id of 62A at 25°C
  • Junction temperature range from -55°C to 175°C

応用

  • Power Management
  • Industrial
  • Portable Devices
  • Consumer Electronics

仕様

以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。

Source Content uid IRF3708PBF Rohs Code Yes
Part Life Cycle Code Obsolete Ihs Manufacturer INFINEON TECHNOLOGIES AG
Package Description FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 Reach Compliance Code compliant
ECCN Code EAR99 Samacsys Manufacturer Infineon
Avalanche Energy Rating (Eas) 213 mJ Case Connection DRAIN
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE DS Breakdown Voltage-Min 30 V
Drain Current-Max (Abs) (ID) 62 A Drain Current-Max (ID) 62 A
Drain-source On Resistance-Max 0.012 Ω FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Feedback Cap-Max (Crss) 52 pF JEDEC-95 Code TO-220AB
JESD-30 Code R-PSFM-T3 Number of Elements 1
Number of Terminals 3 Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Operating Temperature-Max 175 °C Operating Temperature-Min -55 °C
Package Body Material PLASTIC/EPOXY Package Shape RECTANGULAR
Package Style FLANGE MOUNT Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
Polarity/Channel Type N-CHANNEL Power Dissipation-Max (Abs) 87 W
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 248 A Qualification Status Not Qualified
Surface Mount NO Terminal Form THROUGH-HOLE
Terminal Position SINGLE Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Transistor Application SWITCHING Transistor Element Material SILICON

保証と返品

保証、返品、および追加情報

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    部品の品質保証: 365 日

    返品・返金：90日以内

    返品・交換：90日以内

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