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IXTA140P05T

Effect Transistor Power

在庫：7,356

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概要 IXTA140P05T

The IXTA140P05T Trench P-Channel MOSFET offers a convenient solution for high side switching applications, simplifying drive circuitry and reducing overall component costs. By eliminating the need for additional high side driver circuitry commonly associated with N-Channel MOSFETs, designers can achieve improved efficiency and performance in their designs. This MOSFET enables the creation of a complementary power output stage, paired with an N-Channel MOSFET, to achieve a power half bridge stage with minimal complexity in the drive circuit. This streamlined approach not only enhances the design process but also results in a more cost-effective and reliable solution for high side switching applications

主な特長

  • Fine pitch wire bond
  • High reliability
  • Low thermal resistance

応用

  • High frequency operation
  • Precision current sensing
  • Automotive grade reliability

仕様

以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。

Drain-Source Voltage (V) -50 Maximum On-Resistance @ 25 ℃ (Ohm) 0.009
Continuous Drain Current @ 25 ℃ (A) -140 Gate Charge (nC) 200
Input Capacitance, CISS (pF) 13500 Thermal resistance [junction-case] (K/W) 0.42
Configuration Single Package Type TO-263
Typical Reverse Recovery Time (ns) 53 Power Dissipation (W) 298
Sample Request Yes Check Stock Yes

保証と返品

保証、返品、および追加情報

  • QAと返品ポリシー

    部品の品質保証: 365 日

    返品・返金：90日以内

    返品・交換：90日以内

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    配送: たとえば、FedEx、JP、UPS、DHL、SAGAWA、YTC など。

    部品パッケージ保証: 100% ESD 帯電防止機能を備えた当社のパッケージは、高い強度と優れた緩衝機能を備えています。

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