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IRF840SPBF

Power MOSFET designed for switching applications with a maximum voltage of 500V

在庫：6,297

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概要 IRF840SPBF

Transistor Polarity = N-Channel / Configuration = Single / Continuous Drain Current (Id) A = 8 / Drain-Source Voltage (Vds) V = 500 / ON Resistance (Rds(on)) mOhm = 850 / Gate-Source Voltage V = 20 / Fall Time ns = 20 / Rise Time ns = 23 / Turn-OFF Delay Time ns = 49 / Turn-ON Delay Time ns = 14 / Operating Temperature Min. °C = -55 / Operating Temperature Max. °C = 150 / Package Type = DDPAK / Pins = 3 / Mounting Type = SMD / MSL = Level-1 / Packaging = Tape & Reel / Power Dissipation (Pd) W = 125

主な特長

  • Fine pitch package
  • Excellent thermal conductivity
  • Stable operation
  • Good solderability
  • Precise current control

応用

SWITCHING

仕様

以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。

Product Category MOSFET RoHS Details
REACH Details Technology Si
Mounting Style SMD/SMT Package / Case D2PAK-3 (TO-263-3)
Transistor Polarity N-Channel Number of Channels 1 Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 500 V Id - Continuous Drain Current 8 A
Rds On - Drain-Source Resistance 850 mOhms Vgs - Gate-Source Voltage - 20 V, + 20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage 2 V Qg - Gate Charge 63 nC
Minimum Operating Temperature - 55 C Maximum Operating Temperature + 150 C
Pd - Power Dissipation 125 W Channel Mode Enhancement
Series IRF Brand Vishay Semiconductors
Configuration Single Fall Time 20 ns
Forward Transconductance - Min 4.9 S Product Type MOSFET
Rise Time 23 ns Factory Pack Quantity 1000
Subcategory MOSFETs Transistor Type 1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time 49 ns Typical Turn-On Delay Time 14 ns
Unit Weight 0.139332 oz

保証と返品

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    部品の品質保証: 365 日

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    返品・交換：90日以内

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