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IRFPE50PBF

N-channel MOSFET,IRFPE50 7.8A 600V

数量 単価(USD) 合計金額
1 $3.062 $3.06
10 $2.701 $27.01
25 $2.488 $62.20
100 $2.274 $227.40
400 $2.172 $868.80
800 $2.128 $1,702.40

在庫：6,099

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概要 IRFPE50PBF

Infineon Technologies' IRFPE50PBF power MOSFET is a robust and reliable solution for demanding power switching applications. With its N-channel enhancement mode design, high voltage and current handling capabilities, and low on-resistance, this MOSFET delivers superior performance and efficiency. The TO-247 package type enhances thermal performance, enabling effective heat dissipation and ensuring consistent operation under demanding conditions. Its wide operating temperature range further enhances its versatility, making it a versatile choice for a wide range of applications

主な特長

  • Ambient temperature range
  • Low leakage current
  • Short circuit protection
  • Simple to use

仕様

以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。

Product Category MOSFET RoHS Details
REACH Details Technology Si
Mounting Style Through Hole Package / Case TO-247-3
Transistor Polarity N-Channel Number of Channels 1 Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 800 V Id - Continuous Drain Current 7.8 A
Rds On - Drain-Source Resistance 1.2 Ohms Vgs - Gate-Source Voltage - 20 V, + 20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage 2 V Qg - Gate Charge 200 nC
Minimum Operating Temperature - 55 C Maximum Operating Temperature + 150 C
Pd - Power Dissipation 190 W Channel Mode Enhancement
Series IRFPE Brand Vishay Semiconductors
Configuration Single Fall Time 39 ns
Forward Transconductance - Min 5.6 S Height 20.82 mm
Length 15.87 mm Product Type MOSFET
Rise Time 38 ns Factory Pack Quantity 500
Subcategory MOSFETs Transistor Type 1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time 120 ns Typical Turn-On Delay Time 19 ns
Width 5.31 mm Unit Weight 0.211644 oz

保証と返品

保証、返品、および追加情報

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    部品の品質保証: 365 日

    返品・返金：90日以内

    返品・交換：90日以内

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