IRFS3306PBF

Name: IRFS3306PBF
Brand: International Rectifier
Rating: 4.5 (10 reviews)

Tube packaging for IRFS3306PBF N-channel Silicon MOSFET

在庫：4,084

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N-Channel 60 V 120A (Tc) 230W (Tc) Surface Mount D2PAK

以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。

Source Content uid	IRFS3306PBF	Rohs Code	Yes
Part Life Cycle Code	Obsolete	Ihs Manufacturer	INFINEON TECHNOLOGIES AG
Package Description	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	Reach Compliance Code	not_compliant
ECCN Code	EAR99	Samacsys Manufacturer	Infineon
Avalanche Energy Rating (Eas)	184 mJ	Case Connection	DRAIN
Configuration	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	DS Breakdown Voltage-Min	60 V
Drain Current-Max (Abs) (ID)	160 A	Drain Current-Max (ID)	120 A
Drain-source On Resistance-Max	0.0042 Ω	FET Technology	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95 Code	TO-263AB	JESD-30 Code	R-PSSO-G2
JESD-609 Code	e3	Moisture Sensitivity Level	1
Number of Elements	1	Number of Terminals	2
Operating Mode	ENHANCEMENT MODE	Operating Temperature-Max	175 °C
Package Body Material	PLASTIC/EPOXY	Package Shape	RECTANGULAR
Package Style	SMALL OUTLINE	Peak Reflow Temperature (Cel)	260
Polarity/Channel Type	N-CHANNEL	Power Dissipation-Max (Abs)	230 W
Pulsed Drain Current-Max (IDM)	620 A	Qualification Status	Not Qualified
Surface Mount	YES	Terminal Finish	MATTE TIN OVER NICKEL
Terminal Form	GULL WING	Terminal Position	SINGLE
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)	30	Transistor Application	SWITCHING
Transistor Element Material	SILICON

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