ISZ106N12LM6ATMA1

Name: ISZ106N12LM6ATMA1
Brand: Infineon Technologies
Rating: 4.5 (10 reviews)

Ideal for DC-DC converters, motor drives, and other high-power applications

在庫：6,473

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N-Channel 120 V 10A (Ta), 62A (Tc) 2.5W (Ta), 94W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8 FL

以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。

Series	OptiMOS™ 6	Product Status	Active
FET Type	N-Channel	Technology	Si
Drain to Source Voltage (Vdss)	120 V	Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	10A (Ta), 62A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	3.3V, 10V	Rds On (Max) @ Id, Vgs	10.6mOhm @ 28A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	2.2V @ 35µA	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	26 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V	Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1800 pF @ 60 V
Power Dissipation (Max)	2.5W (Ta), 94W (Tc)	Operating Temperature	-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type	Surface Mount	Supplier Device Package	PG-TSDSON-8 FL
Package / Case	TSDSON-8	Base Product Number	ISZ106
Manufacturer	Infineon	Product Category	MOSFET
Mounting Style	SMD/SMT	Transistor Polarity	N-Channel
Number of Channels	1 Channel	Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	120 V
Id - Continuous Drain Current	62 A	Rds On - Drain-Source Resistance	10.6 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage	- 20 V, + 20 V	Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	2.2 V
Qg - Gate Charge	10.4 nC	Minimum Operating Temperature	- 55 C
Maximum Operating Temperature	+ 175 C	Pd - Power Dissipation	94 W
Channel Mode	Enhancement	Tradename	OptiMOS
Brand	Infineon Technologies	Configuration	Single
Fall Time	4 ns	Forward Transconductance - Min	28 S
Product Type	MOSFET	Rise Time	2.5 ns
Factory Pack Quantity	5000	Subcategory	MOSFETs
Typical Turn-Off Delay Time	14 ns	Typical Turn-On Delay Time	6 ns
Part # Aliases	ISZ106N12LM6 SP005586116

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