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IXFN180N20

IXFN180N20: Power MOSFET with N-type channel, capable of handling 200 volts and 180 amperes, packaged in 4 pins using SOT-227B standard

数量 単価(USD) 合計金額
1 $133.788 $133.79
200 $53.383 $10,676.60
500 $51.599 $25,799.50
1000 $50.717 $50,717.00

在庫：5,465

*価格は参考値です。
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概要 IXFN180N20

The IXFN180N20 is a part of the N-Channel HiPerFET™ Standard series, featuring Power MOSFETs designed for both hard switching and resonant mode applications. These MOSFETs are known for their low gate charge, excellent ruggedness, and fast intrinsic diode. With a wide range of standard industrial packages available, including isolated types, this series offers flexibility and reliability in various applications

主な特長

  • International Standard Packages
  • High Current Handling Capability
  • Low R
  • DS(on)
  • HDMOS process
  • Avalanche Rated
  • Low Package Inductance
  • Fast intrinsic diode

応用

  • Compact size
  • Energy saving
  • Wide applications

仕様

以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。

Drain-Source Voltage (V) 200 Maximum On-Resistance @ 25 ℃ (Ohm) 0.0125
Continuous Drain Current @ 25 ℃ (A) 180 Gate Charge (nC) 660
Input Capacitance, CISS (pF) 22000 Thermal resistance [junction-case] (K/W) 0.18
Configuration Single Package Type SOT-227
Power Dissipation (W) 700 Maximum Reverse Recovery (ns) 250
Sample Request No

保証と返品

保証、返品、および追加情報

  • QAと返品ポリシー

    部品の品質保証: 365 日

    返品・返金：90日以内

    返品・交換：90日以内

  • 配送と梱包

    配送: たとえば、FedEx、SF、UPS、または DHL.UPS、または DHL。

    部品のパッケージング保証: 100% ESD 帯電防止保護を特徴とする当社のパッケージングには、高い靭性と優れた緩衝機能が組み込まれています。

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