• IXFN82N60Q3 SOT-227-4
IXFN82N60Q3 SOT-227-4

IXFN82N60Q3

IXFN82N60Q3 is a power MOSFET designed for N-channel operation

数量 単価(USD) 合計金額
1 $54.926 $54.93
200 $21.257 $4,251.40
500 $20.509 $10,254.50
1000 $20.140 $20,140.00

在庫：8,548

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概要 IXFN82N60Q3

In summary, the IXFN82N60Q3 MOSFET from the Q3-Class series offers exceptional power switching performance, enhanced device ruggedness, and high energy efficiency. With a wide range of drain-to-source voltage ratings and drain current ratings available, this series provides users with the flexibility to select the optimal device for their specific application requirements. The optimized combination of low on-state resistance (Rdson) and gate charge (Qg) ensures reduced conduction and switching losses, resulting in improved overall efficiency. Additionally, the HiPerFETTM process further enhances power switching capabilities and device ruggedness, making the Q3-Class series an excellent choice for a variety of power management applications

IXFN82N60Q3

主な特長

  • Superior Noise Reduction Characteristics
  • Enhanced Thermal Shock Resistance
  • Improved Power Management

応用

  • Customizable options
  • Fast installation
  • Safe operation

仕様

以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。

Series HiPerFET™, Q3 Class Package Tube
Product Status Active FET Type N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 600 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 66A (Tc) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 75mOhm @ 41A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id 6.5V @ 8mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 275 nC @ 10 V Vgs (Max) ±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 13500 pF @ 25 V Power Dissipation (Max) 960W (Tc)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type Chassis Mount
Supplier Device Package SOT-227B Package / Case SOT-227-4, miniBLOC
Base Product Number IXFN82

保証と返品

保証、返品、および追加情報

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    部品の品質保証: 365 日

    返品・返金：90日以内

    返品・交換：90日以内

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