KSC3503DSTU
Pin with Three-Tab Configuration
在庫：6,344
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- 7*24時間サービス検疫
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部品番号 : KSC3503DSTU
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パッケージ/ケース : TO126-3
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ブランド : Onsemi
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コンポーネントの分類 : Single Bipolar Transistors
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日付シート : KSC3503DSTU データシート (PDF)
概要 KSC3503DSTU
Bipolar (BJT) Transistor NPN 300 V 100 mA 150MHz 7 W Through Hole TO-126-3
主な特長
- High Current Handling
- Low Input Noise
- Fast Rise Time and Fall Time
- Good Linearity and Gain
- Compact Package Size
応用
- Perfect for all your needs.
- Works wonders in any setting.
- Versatile and reliable choice.
仕様
以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。
| Status | Active | Compliance | PbAHP |
| Package Type | TO-126-3 | Case Outline | 340AS |
| MSL Type | NA | MSL Temp (°C) | 0 |
| Container Type | TUBE | Container Qty. | 1920 |
| ON Target | Y | Polarity | NPN |
| Type | General Purpose | VCE(sat) Max (V) | 0.6 |
| IC Cont. (A) | 0.1 | VCEO Min (V) | 300 |
| VCBO (V) | 300 | VEBO (V) | 5 |
| VBE(sat) (V) | 1 | hFE Min | 60 |
| hFE Max | 120 | fT Min (MHz) | 150 |
| PTM Max (W) | 7 | Pricing ($/Unit) | $0.1739Sample |
保証と返品
保証、返品、および追加情報
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QAと返品ポリシー
部品の品質保証: 365 日
返品・返金：90日以内
返品・交換：90日以内
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配送と梱包
配送: たとえば、FedEx、JP、UPS、DHL、SAGAWA、YTC など。
部品パッケージ保証: 100% ESD 帯電防止機能を備えた当社のパッケージは、高い強度と優れた緩衝機能を備えています。
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支払い
たとえば、VISA、MasterCard、Western Union、PayPal、MoneyGram、楽天ペイなどのチャネルです。
特定の支払いチャネルの好みや要件がある場合は、当社の営業チームにご連絡ください。
KSC2752OSTU
ON Semi KSC2752OSTU NPN Transistor, 500 mA, 400 V, 3-Pin TO-126
IHW20N135R5XKSA1
288W 40A 1.35kV TO-247-3 IGBTs ROHS
IHW30N160R5XKSA1
263W 60A 1.6kV FS TO-247-3 IGBTs (Field Stop) - ROHS Compliant
IKP20N60TXKSA1
Overview of IKP20N60TXKSA1: A member of the IKP20N60T Series, featuring 600V 41A Through Hole IGBT TrenchStop technology in a PG-TO-220-3 housing
IKW40N120H3FKSA1
High Power Transistors
IPP039N04LGXKSA1
N-channel 40-volt MOSFET with a current rating of 80 amps in a TO-220 package
IPP045N10N3GXKSA1
INFINEON - IPP045N10N3GXKSA1 - Power MOSFET, N Channel, 100 V, 100 A, 0.0039 ohm, TO-220, Through Hole
IPP200N15N3GXKSA1
Product Summary: This MOSFET
IPP60R022S7XKSA1
N-channel 600V 23A Trans MOSFET in tube packaging
IPW60R017C7XKSA1
600V N-channel Transistor MOSFET with 109A rating in TO-247 package
CM100E3U-24H
CM100E3U-24H by MITSUBISHI - power module
BUP314D
BUP314D Insulated Gate Bipolar Transistor, N-Channel, TO-218, 42A I(C), 1200V V(BR)CES
SIZ340DT-T1-GE3
MOSFET Dual N-Channel with 30V and 30/40A PowerPAIR8EP
MJD253T4G
100 V Voltage Rating
TSM2307CX
TSM2307CX: 30V P-Channel MOSFET"
2N4858A
TO-18 packaged N-channel JFET transistor, made of silicon and capable of handling up to 40 volts
STGD5NB120SZT4
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 10A 75W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
IRFR13N20DPBF
N-channel power MOSFET with a voltage rating of 200V and a current handling capacity of 13A, packaged in a DPAK configuration
MJE13004
TO-220-3 NPN Bipolar Transistor - MJE13004, 75W, 10@1A, 5V
ZXM64N035L3
ZXM64N035L3 is described as a N-Channel MOSFET with a 35V rating