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MJ14002

ROHS TO-204 Bipolar Transistors

数量 単価(USD) 合計金額
1 $2.698 $2.70
200 $1.077 $215.40
500 $1.041 $520.50
1000 $1.024 $1,024.00

在庫：8,379

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概要 MJ14002

MJ14002 is a bi-polar junction transistor (BJT) designed for high-speed switching applications. It is a NPN silicon transistor with a maximum collector current rating of 2A and a maximum collector-base voltage rating of 40V. The device has a low saturation voltage of 0.3V at a collector current of 500mA, making it suitable for various power switching applications. It has a high current gain (hFE) of 100 to 250 at a collector current of 500mA, providing high amplification capability.MJ14002 has a maximum power dissipation of 625mW with a thermal resistance of 125°C/W junction to case. This allows it to handle moderate power levels efficiently and ensures reliable operation under high-temperature conditions.The transistor is housed in a TO-3 package, which provides excellent thermal conductivity and mechanical strength. It is suitable for use in various industrial and consumer electronic devices such as power supplies, lighting controls, and motor controls.

主な特長

  • Compact and Reliable Design
  • Fast Switching Performance
  • Low Power Consumption
  • High Efficiency Operation
  • Precise Current Control
  • Long-Term Reliability Guaranteed

応用

  • Voltage regulation
  • Industrial applications
  • Motor control systems

仕様

以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。

Product Category Bipolar Transistors - BJT Transistor Polarity NPN
Configuration Single Collector- Emitter Voltage VCEO Max 80 V
Collector- Base Voltage VCBO 80 V Emitter- Base Voltage VEBO 5 V
Maximum DC Collector Current 60 A Pd - Power Dissipation 300 W
Minimum Operating Temperature - 65 C Maximum Operating Temperature + 200 C
Brand Diodes Incorporated DC Collector/Base Gain hfe Min 30 at 25 A, 3 V
Product Type BJTs - Bipolar Transistors Subcategory Transistors
Technology Si

保証と返品

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