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MMSF3P02HDR2G

-20V -5.6A Power MOSFET with P-Channel design, 75 mOhm resistance, and compact SO-8 package

数量 単価(USD) 合計金額
1 $0.259 $0.26
10 $0.253 $2.53
30 $0.250 $7.50
100 $0.245 $24.50

在庫：5,159

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概要 MMSF3P02HDR2G

In conclusion, the MMSF3P02HDR2G MOSFETs offer a compelling combination of performance, reliability, and efficiency. With their low RDS(on), high energy tolerance, and fast switching speeds, these devices are sure to meet the demands of even the most challenging applications. From dc-dc converters to low voltage motor controls, these MOSFETs are the ideal choice for designers looking to maximize power efficiency and reliability in their products. Invest in the MMSF3P02HDR2G MOSFETs today and take your designs to the next level of performance

主な特長

  • Safe and Reliable Operation
  • Fast Response Time, High Speed
  • Compact Package Saves Space
  • Low Power Consumption and Energy Efficiency
  • Fault-Tolerant Design for Reduced Downtime
  • Easy Installation and Maintenance

応用

SWITCHING

仕様

以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。

Status Lifetime Compliance PbAHP
Package Type SOIC-8 Case Outline 751-07
MSL Type 1 MSL Temp (°C) 260
Container Type REEL Container Qty. 2500
ON Target N Channel Polarity P-Channel
Configuration Single V(BR)DSS Min (V) 20
VGS Max (V) 20 VGS(th) Max (V) 2
ID Max (A) 5.6 PD Max (W) 2.5
RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ) 95 RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ) 75
Qg Typ @ VGS = 10 V (nC) 33 Ciss Typ (pF) 1010
Pricing ($/Unit) $0.7168Sample

保証と返品

保証、返品、および追加情報

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    部品の品質保証: 365 日

    返品・返金：90日以内

    返品・交換：90日以内

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DTA143EKAT146 is a PNP Digital Transistor designed for applications requiring a maximum current of -0
FGH20N60SFDTU

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IGBT Transistor Component, 600V Voltage Rating, 40A Current Capacity, 165W Power Dissipation, TO-247 Enclosure
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SOIC-8 Packaged N-Channel Silicon FET with 14A Drain Current and 40V Voltage Rating, Ideal for Small-Signal Applications
IRF7811AVPBF

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0V voltage rating
DSS4320T-7

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20V 600mW 220 at 1A, 2V 2A
IRF9Z34NSPBF

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HEXFET P-channel MOSFET rated for -55V with 100mOhm on-resistance and 23.3nC gate charge
SSM3J338R,LF

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12V, 6A, 17.6mΩ @ 8V
CM300E3U-12H

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POWER IGBT TRANSISTOR description
SUP75N06-08

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Field-Effect Transistor with a Voltage Rating of 60V, Current Rating of 75A, and Power Dissipation of 250W
IXTX32P60P

IXTX32P60P

32 Amps MOSFET with 600V and 0.350 Rds