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MTB2P50ET4G

Single P-Channel D2PAK MOSFET with a resistance of 6 Ohm

在庫：8,026

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概要 MTB2P50ET4G

The MTB2P50ET4G is a P-Channel Enhancement-Mode Silicon Gate MOSFET that comes in a D2PAK package, making it suitable for applications requiring higher power and lower RDS(on) capabilities. Its advanced termination scheme provides enhanced voltage-blocking capability without compromising performance over time. Additionally, it is designed to withstand high energy in avalanche and commutation modes, offering a drain-to-source diode with a fast recovery time. This energy-efficient design is ideal for high-voltage, high-speed switching applications in power supplies, converters, and PWM motor controls. It is particularly well-suited for bridge circuits, where diode speed and commutating safe operating areas are critical, and it also offers an additional safety margin against unexpected voltage transients

主な特長

  • Polarity-Reversal Safe Operating Condition Ensured in Power Supplies
  • Silicone Free and Anti Radiation Coated for Environmental Concerns
  • Absorptive Clamping to Protect Against Voltage Surges
  • High Current Handling Capability Available in Inverter Applications
  • Rugged Design for High Reliability Assured in Harsh Environments
  • Low Inductive Value to Minimize Noise Coupling and Enhance Performance

仕様

以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。

Status Obsolete Compliance PbAHP
Package Type D2PAK-3 / TO-263-2 Case Outline 418B-04
MSL Type 1 MSL Temp (°C) 260
Container Type REEL Container Qty. 800
ON Target N Channel Polarity P-Channel
Configuration Single V(BR)DSS Min (V) 500
VGS Max (V) 20 VGS(th) Max (V) 4
ID Max (A) 2 PD Max (W) 2.5
RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ) 6000 Qg Typ @ VGS = 10 V (nC) 19
Ciss Typ (pF) 845 Pricing ($/Unit) Price N/A

保証と返品

保証、返品、および追加情報

  • QAと返品ポリシー

    部品の品質保証: 365 日

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