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MTB50P03HDLT4G

Low on-resistance of 25 mOhm

在庫：9,288

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概要 MTB50P03HDLT4G

The MTB50P03HDLT4G Power MOSFET is a powerhouse when it comes to handling high energy in the avalanche and commutation modes. Its efficient design includes a drain-to-source diode with a quick recovery time, making it a top choice for low voltage, high-speed switching applications in power supplies, converters, and PWM motor controls. When it comes to bridge circuits, this Power MOSFET shines, providing the necessary speed and safety margins against unexpected voltage transients

主な特長

  • Silicon-Germanium High Frequency Operation
  • Compact and Lightweight Design Possible
  • High Temperature and Humidity Resistance
  • Pulse Width Modulation Compatible
  • Economical Manufacturing Process Utilized
  • Rapid On-State Recovery Time Specified

仕様

以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。

Status Last Shipments Compliance PbAHP
Package Type D2PAK-3 / TO-263-2 Case Outline 418B-04
MSL Type 1 MSL Temp (°C) 260
Container Type REEL Container Qty. 800
ON Target N Channel Polarity P-Channel
Configuration Single V(BR)DSS Min (V) 30
VGS Max (V) 15 VGS(th) Max (V) 2
ID Max (A) 50 PD Max (W) 125
RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ) 25 Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC) 74
Ciss Typ (pF) 3500 Pricing ($/Unit) Price N/A

保証と返品

保証、返品、および追加情報

  • QAと返品ポリシー

    部品の品質保証: 365 日

    返品・返金：90日以内

    返品・交換：90日以内

  • 配送と梱包

    配送: たとえば、FedEx、JP、UPS、DHL、SAGAWA、YTC など。

    部品パッケージ保証: 100% ESD 帯電防止機能を備えた当社のパッケージは、高い強度と優れた緩衝機能を備えています。

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