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NSVJ3910SB3T1G

JFET with -25V rating, ideal for low power applications

在庫：9,447

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概要 NSVJ3910SB3T1G

The NSVJ3910SB3T1G is a JFET transistor designed for automotive applications that require high reliability and performance. With a breakdown voltage of -25V, a gate-source cutoff voltage of -1.8V, and an operating temperature max of 150°C, this transistor is suitable for a wide range of automotive electronic systems

主な特長

  • SMT package ensures compact design
  • Reliable performance for radar and comms apps
  • Efficient power amplification for 2-6 GHz range
  • High gain and low distortion for clear signals
  • Omnidirectional radiation for effective beamforming
  • Rugged design for harsh environmental conditions

応用

  • Information transmission
  • Wireless connectivity
  • Smart technology solutions

仕様

以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。

Product Status Active FET Type N-Channel
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS) 25 V Drain to Source Voltage (Vdss) 25 V
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) 20 mA @ 5 V Current Drain (Id) - Max 50 mA
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id 600 mV @ 100 µA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 6pF @ 5V
Power - Max 400 mW Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Grade Automotive Qualification AEC-Q101
Mounting Type Surface Mount Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Supplier Device Package 3-CPH Base Product Number NSVJ3910

保証と返品

保証、返品、および追加情報

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    返品・交換：90日以内

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