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PMH600UNEH

PMH600UNE Series 20V N-Channel Trench MOSFET with 800mA and 620mΩ

在庫：7,818

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概要 PMH600UNEH

Designed with Trench MOSFET technology and housed in a leadless ultra small DFN0606-3 (SOT8001) SMD plastic package, the PMH600UNEH N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor sets a new standard for compact, high-performance components. Its small footprint and high power capabilities make it an ideal choice for applications where space is limited, but reliable performance is paramount

主な特長

  • Rapid-start circuitry
  • High-efficiency operation
  • Surge current limiting
  • Thermal runaway protection

応用

  • Superior performance
  • Flexible use
  • Simple integration

仕様

以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。

Product Status Active FET Type N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 20 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 800mA (Ta) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 1.2V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 620mOhm @ 600mA, 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id 950mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 0.31 nC @ 4.5 V Vgs (Max) ±8V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 21.3 pF @ 10 V Power Dissipation (Max) 370mW (Ta), 2.2W (Tc)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type Surface Mount
Supplier Device Package DFN0606-3 Package / Case 3-XFDFN
Base Product Number PMH600

保証と返品

保証、返品、および追加情報

  • QAと返品ポリシー

    部品の品質保証: 365 日

    返品・返金：90日以内

    返品・交換：90日以内

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