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PSMN1R5-30BLEJ

Meet the PSMN1R5-30BLEJ, a robust N-channel MOSFET engineered for demanding applications

在庫:7,350

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概要 PSMN1R5-30BLEJ

The PSMN1R5-30BLEJ MOSFET sets the standard for high-temperature operation, providing engineers and designers with a dependable solution for challenging environments. Its proven track record in a wide range of industrial, communications, and domestic equipment applications underscores its versatility and performance capabilities, making it an essential component for modern electronic systems

主な特長

  • Superior current handling for demanding applications
  • Low noise operation for sensitive devices
  • Rapid transient response for reliable control

応用

  • Customizable settings
  • Extended operating temperature
  • Durable components

仕様

以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。

Product Status Active FET Type N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 120A (Tc) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.5mOhm @ 25A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id 2.15V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 228 nC @ 10 V Vgs (Max) ±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 14934 pF @ 15 V Power Dissipation (Max) 401W (Tc)
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type Surface Mount
Supplier Device Package D2PAK Package / Case TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Base Product Number PSMN1R5

保証と返品

保証、返品、および追加情報

  • QAと返品ポリシー

    部品の品質保証: 365 日

    返品・返金:90日以内

    返品・交換:90日以内

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