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RGCL80TK60GC11

Trans IGBT Chip N-CH 600V 35A 57000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3PFM Tube

在庫:6,011

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概要 RGCL80TK60GC11

The RGCL80TK60GC11 is a robust and reliable IGBT transistor with a collector emitter voltage of 600V and a collector current of 35A. With a low collector emitter saturation voltage of 1.4V, this transistor is designed for high efficiency and power dissipation up to 57W. The TO-3PFM case style with 3 pins allows for easy installation and integration into various electronic devices. Operating at a maximum temperature of 175°C, this transistor is suitable for demanding applications that require high performance and stability

仕様

以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。

Package Tube Product Status Active
IGBT Type Trench Field Stop Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600 V
Current - Collector (Ic) (Max) 35 A Current - Collector Pulsed (Icm) 160 A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 1.8V @ 15V, 40A Power - Max 57 W
Switching Energy 1.11mJ (on), 1.68mJ (off) Input Type Standard
Gate Charge 98 nC Td (on/off) @ 25°C 53ns/227ns
Test Condition 400V, 40A, 10Ohm, 15V Operating Temperature -40°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type Through Hole Package / Case TO-3PFM, SC-93-3
Supplier Device Package TO-3PFM Base Product Number RGCL80

保証と返品

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