• RGTH60TS65DGC11 TO-247-3
RGTH60TS65DGC11 TO-247-3

RGTH60TS65DGC11

50V 30A power transistors

数量 単価(USD) 合計金額
1 $1.679 $1.68
200 $0.651 $130.20
450 $0.628 $282.60
900 $0.617 $555.30

在庫：6,270

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概要 RGTH60TS65DGC11

IGBT Trench Field Stop 650 V 58 A 194 W Through Hole TO-247N

仕様

以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。

Product Category IGBT Transistors RoHS Details
Technology Si Mounting Style Through Hole
Configuration Single Collector- Emitter Voltage VCEO Max 650 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 1.6 V Maximum Gate Emitter Voltage - 30 V, 30 V
Continuous Collector Current at 25 C 58 A Pd - Power Dissipation 194 W
Minimum Operating Temperature - 40 C Maximum Operating Temperature + 175 C
Series RGTH60TS65 Brand ROHM Semiconductor
Continuous Collector Current 30 A Continuous Collector Current Ic Max 58 A
Gate-Emitter Leakage Current +/- 200 nA Operating Temperature Range - 40 C to + 175 C
Product Type IGBT Transistors Factory Pack Quantity 450
Subcategory IGBTs Part # Aliases RGTH60TS65D
Unit Weight 0.070548 oz

保証と返品

保証、返品、および追加情報

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    返品・返金：90日以内

    返品・交換：90日以内

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