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SGP06N60

Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) capable of handling 12A of collector current and with a breakdown voltage of 600V (V(BR)CES)

在庫:9,951

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概要 SGP06N60

IGBT NPT 600 V 12 A 68 W Through Hole PG-TO220-3-1

主な特長

  • High voltage capability for added safety and performance
  • Fast switching speed for efficient power conversion and reduced downtime
  • Low RDS(ON) for high efficiency and reliability
  • Suitable for use in a range of industrial applications and harsh environments
  • Wide operating temperature range for reliability and performance
  • Compliant with RoHS regulations for environmental safety

応用

  • For efficient power
  • High quality welding
  • Light up your home
  • Control your motors
  • Invert solar energy
  • Correct power factor

仕様

以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。

Product Category IGBT Transistors RoHS Details
Technology Si Package / Case TO-220-3
Mounting Style Through Hole Configuration Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 600 V Maximum Gate Emitter Voltage - 20 V, + 20 V
Minimum Operating Temperature - 55 C Maximum Operating Temperature + 150 C
Series SGP06N60 Brand Infineon Technologies
Continuous Collector Current Ic Max 12 A Height 9.25 mm
Length 10 mm Product Type IGBT Transistors
Factory Pack Quantity 500 Subcategory IGBTs
Width 4.4 mm Part # Aliases SP000683112 SGP06N60XKSA1
Unit Weight 0.211644 oz

保証と返品

保証、返品、および追加情報

  • QAと返品ポリシー

    部品の品質保証: 365 日

    返品・返金:90日以内

    返品・交換:90日以内

  • 配送と梱包

    配送: たとえば、FedEx、JP、UPS、DHL、SAGAWA、YTC など。

    部品パッケージ保証: 100% ESD 帯電防止機能を備えた当社のパッケージは、高い強度と優れた緩衝機能を備えています。

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