SI3590DV-T1-GE3

Name: SI3590DV-T1-GE3
Brand: Siliconix
Rating: 4.5 (10 reviews)

A versatile MOSFET suitable for 30V applications, offering both N-channel and P-channel functionality with current capabilities of 2

在庫：5,101

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Mosfet Array 30V 2.5A, 1.7A 830mW Surface Mount 6-TSOP

SWITCHING

以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。

Product Category	MOSFET	RoHS	Details
REACH	Details	Technology	Si
Mounting Style	SMD/SMT	Package / Case	TSOP-6
Transistor Polarity	N-Channel, P-Channel	Number of Channels	2 Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	30 V	Id - Continuous Drain Current	3 A, 2 A
Rds On - Drain-Source Resistance	77 mOhms, 170 mOhms	Vgs - Gate-Source Voltage	- 12 V, + 12 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	600 mV	Qg - Gate Charge	4.5 nC, 6 nC
Minimum Operating Temperature	- 55 C	Maximum Operating Temperature	+ 150 C
Pd - Power Dissipation	1.15 W	Channel Mode	Enhancement
Tradename	TrenchFET	Series	SI3
Brand	Vishay Semiconductors	Configuration	Dual
Fall Time	7 ns, 20 ns	Forward Transconductance - Min	10 S, 5 S
Product Type	MOSFET	Rise Time	12 ns, 15 ns
Factory Pack Quantity	3000	Subcategory	MOSFETs
Transistor Type	1 N-Channel, 1 P-Channel	Typical Turn-Off Delay Time	13 ns, 20 ns
Typical Turn-On Delay Time	5 ns, 5 ns	Part # Aliases	SI3590DV-GE3
Unit Weight	0.000705 oz

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