• SI7137DP-T1-GE3 PowerPAK-SO-8
SI7137DP-T1-GE3 PowerPAK-SO-8

SI7137DP-T1-GE3

P-Channel Silicon Power MOSFET with 42 Amperes Current Rating and 20 Volts Voltage Limit, featuring a 0.00195 Ohm On-Resistance

数量 単価(USD) 合計金額
1 $0.535 $0.54
10 $0.477 $4.77
30 $0.449 $13.47
100 $0.422 $42.20
500 $0.404 $202.00
1000 $0.396 $396.00

在庫:5,951

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概要 SI7137DP-T1-GE3

The SI7137DP-T1-GE3 is a high-performance MOSFET transistor designed for power management applications. With a P Channel transistor polarity, it is capable of a continuous drain current of -60A and a drain-source voltage of -20V. The on-resistance (Rds(on)) is impressively low at 0.0016ohm, making it suitable for high-efficiency power switching. The PowerPAK SO package style and 8-pin configuration provide easy integration into electronic circuits

主な特長

  • Wide operating voltage range available
  • Low thermal resistance and high reliability
  • Mature production process with high yield

応用

  • Power Management

仕様

以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。

Product Category MOSFET RoHS Details
REACH Details Technology Si
Mounting Style SMD/SMT Package / Case PowerPAK-SO-8
Transistor Polarity P-Channel Number of Channels 1 Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 20 V Id - Continuous Drain Current 60 A
Rds On - Drain-Source Resistance 1.95 mOhms Vgs - Gate-Source Voltage - 12 V, + 12 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage 1.4 V Qg - Gate Charge 390 nC
Minimum Operating Temperature - 55 C Maximum Operating Temperature + 150 C
Pd - Power Dissipation 104 W Channel Mode Enhancement
Tradename TrenchFET Series SI7
Brand Vishay Semiconductors Configuration Single
Fall Time 110 ns Forward Transconductance - Min 95 S
Product Type MOSFET Rise Time 150 ns
Factory Pack Quantity 3000 Subcategory MOSFETs
Transistor Type 1 P-Channel Typical Turn-Off Delay Time 230 ns
Typical Turn-On Delay Time 100 ns Part # Aliases SI7137DP-GE3
Unit Weight 0.017870 oz

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