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SIHB12N60E-GE3

SIHB12N60E-GE3 N-Channel MOSFET, 12 A, 600 V E Series, 3-Pin D2PAK Vishay

在庫：7,554

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概要 SIHB12N60E-GE3

N-Channel 600 V 12A (Tc) 147W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)

主な特長

  • High current density and low thermal resistance
  • Compact module design for easy mounting
  • Low electromagnetic interference (EMI)
  • High reliability and low failure rate

応用

  • Multiple applications
  • Efficient power use
  • Renewable energy

仕様

以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。

Product Category MOSFET REACH Details
Technology Si Mounting Style SMD/SMT
Package / Case D2PAK-3 (TO-263-3) Transistor Polarity N-Channel
Number of Channels 1 Channel Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 650 V
Id - Continuous Drain Current 12 A Rds On - Drain-Source Resistance 380 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage - 30 V, + 30 V Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage 4 V
Qg - Gate Charge 29 nC Minimum Operating Temperature - 55 C
Maximum Operating Temperature + 150 C Pd - Power Dissipation 147 W
Channel Mode Enhancement Series E
Brand Vishay / Siliconix Configuration Single
Fall Time 19 ns Product Type MOSFET
Rise Time 19 ns Factory Pack Quantity 1000
Subcategory MOSFETs Typical Turn-Off Delay Time 35 ns
Typical Turn-On Delay Time 14 ns Unit Weight 0.139332 oz

保証と返品

保証、返品、および追加情報

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    部品の品質保証: 365 日

    返品・返金：90日以内

    返品・交換：90日以内

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