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SQJ858AEP-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 58A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO EP T/R

数量 単価(USD) 合計金額
1 $0.293 $0.29
10 $0.286 $2.86
30 $0.283 $8.49
100 $0.279 $27.90

在庫：9,834

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概要 SQJ858AEP-T1_GE3

Whether used in engine control units, power distribution systems, or other automotive electronics, the SQJ858AEP-T1_GE3 offers exceptional performance and durability. With its high current rating, low on-resistance, and robust construction, this transistor is a versatile and reliable solution for automotive power management needs

主な特長

  • TrenchFET® Power MOSFET
  • AEC-Q101 Qualified
  • 100 % Rg and UIS Tested

    • 仕様

    以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。

    Product Category MOSFET RoHS Details
    Technology Si Mounting Style SMD/SMT
    Package / Case PowerPAK-SO-8-4 Transistor Polarity N-Channel
    Number of Channels 1 Channel Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 40 V
    Id - Continuous Drain Current 58 A Rds On - Drain-Source Resistance 5 mOhms
    Vgs - Gate-Source Voltage - 20 V, + 20 V Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage 1.5 V
    Qg - Gate Charge 55 nC Minimum Operating Temperature - 55 C
    Maximum Operating Temperature + 175 C Pd - Power Dissipation 48 W
    Channel Mode Enhancement Qualification AEC-Q101
    Tradename TrenchFET Series SQ
    Brand Vishay Semiconductors Configuration Single
    Fall Time 8 ns Product Type MOSFET
    Rise Time 9 ns Factory Pack Quantity 3000
    Subcategory MOSFETs Transistor Type 1 N-Channel
    Typical Turn-Off Delay Time 26 ns Typical Turn-On Delay Time 10 ns
    Part # Aliases SQJ858AEP-T1_BE3 Unit Weight 0.017870 oz

    保証と返品

    保証、返品、および追加情報

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      部品の品質保証: 365 日

      返品・返金：90日以内

      返品・交換：90日以内

    • 配送と梱包

      配送: たとえば、FedEx、JP、UPS、DHL、SAGAWA、YTC など。

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    IXGK75N250

    IXGK75N250

    TO264 IGBT 2500V 170A 780W
    IRF5851TR

    IRF5851TR

    Mosfet Array 20V 2.7A
    IRFL9110TRPBF

    IRFL9110TRPBF

    00V Single P-Channel Surface Mount Power Mosfet
    FQPF3N90

    FQPF3N90

    N-Channel QFET 900V MOSFET
    BSM300GA120DN2

    BSM300GA120DN2

    IGBT Module for IGBT Transistor N-CH 1200V 430A 2500mW
    2N4403BU

    2N4403BU

    625mW Power Dissipation
    FMMT458TA

    FMMT458TA

    Describing FMMT458TA
    SSM3K37FS,LF

    SSM3K37FS,LF

    Low power 100mW MOSFET with 1V threshold voltage at 100mA
    RU1C001UNTCL

    RU1C001UNTCL

    Single-element silicon transistor ideal for implementing as a switch or amplifier in electronic circuits
    IXGH30N60BD1

    IXGH30N60BD1

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