SS8050CBU
SS8050CBU: NPN Transistor Ideal for General Purpose Use, 25V, 1.5A
| 数量 | 単価(USD) | 合計金額 |
|---|---|---|
| 1 | $0.158 | $0.16 |
| 10 | $0.139 | $1.39 |
| 30 | $0.130 | $3.90 |
| 100 | $0.121 | $12.10 |
| 500 | $0.117 | $58.50 |
| 1000 | $0.114 | $114.00 |
在庫：7,438
- 90日間のアフター保証
- 365日の品質保証
- 正規品保証
- 7*24時間サービス検疫
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部品番号 : SS8050CBU
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パッケージ/ケース : TO92-3
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ブランド : Onsemi
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コンポーネントの分類 : Single Bipolar Transistors
-
日付シート : SS8050CBU データシート (PDF)
概要 SS8050CBU
主な特長
- Designed for portable radios
- Pulse width modulation supported
- IC= 500mA @ TC= 25°C
応用
- A must-have for every toolbox.
- Top quality for your work.
- Get the job done right.
仕様
以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。
| Status | Active | Compliance | PbAHP |
| Package Type | TO-92-3 | Case Outline | 135AN |
| MSL Type | NA | MSL Temp (°C) | 0 |
| Container Type | BLKBG | Container Qty. | 10000 |
| ON Target | Y | Polarity | NPN |
| Type | General Purpose | VCE(sat) Max (V) | 0.5 |
| IC Cont. (A) | 1.5 | VCEO Min (V) | 25 |
| VCBO (V) | 40 | VEBO (V) | 6 |
| VBE(sat) (V) | 1.2 | VBE(on) (V) | 1 |
| hFE Min | 120 | hFE Max | 200 |
| fT Min (MHz) | 100 | PTM Max (W) | 1 |
| Pricing ($/Unit) | $0.092Sample |
保証と返品
保証、返品、および追加情報
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QAと返品ポリシー
部品の品質保証: 365 日
返品・返金：90日以内
返品・交換：90日以内
-
配送と梱包
配送: たとえば、FedEx、JP、UPS、DHL、SAGAWA、YTC など。
部品パッケージ保証: 100% ESD 帯電防止機能を備えた当社のパッケージは、高い強度と優れた緩衝機能を備えています。
-
支払い
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SSM3J328R,LF
29.8m¦¸@4.5V,3A 1W 1V@1mA
DMP4015SSSQ-13
Green Plastic SOP-8 Transistor with 7.8A Current Rating
BSS138AKAR
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
BSS138PS,115
Trans MOSFET N-CH 60V 0.32A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSSOP T/R
BSS214N H6327
Low On-Resistance N-Channel FET BSS214N
BSS214NH6327XTSA1
14NH6327XTSA1,'BSS214N Series 20 V 1
BSS64
Trans GP BJT NPN 80V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R
BSS806NEH6327XTSA1
Comes in tape and reel packaging for convenient storage and assembly
BSS670S2LH6327XTSA1
This is a MOSFET with an N-type channel, designed for a maximum voltage of 55 volts and a current of 540 milliamps, enclosed in an SOT-23-3 package
DMG4406LSS-13
With a legacy dating back to 1988, DMG4406LSS-13 stands as a distinguished electronic distributor in France
2N5582
TO-46-packaged NPN Bipolar Junction Transistor with a Voltage Rating of 50V and Current Rating of 0
BSP19AT1G
Bipolar NPN Transistor
SI7370DP-T1-E3
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IXTM21N50
00V MOSFET rated at 21 Amps with 0.23 Rds
TN0200T
A MOSFET component engineered for a voltage of 20V, with a current handling capacity of 1.2A and a power dissipation of 0.35W
NE3210S01-T1B
NE3210S01-T1B: A high-performance Trans JFET with a 4V voltage rating and a current capacity of 70mA
FGH40N60UFDTU
IGBT Transistor Chip, N-Type, 600V, 80A, 290W, 3-Pin (3+Tab), TO-247 Tube
DE375-102N12A
Silicon N-Channel Metal-oxide Semiconductor FET for Very High Frequency Applications
BSC026N08NS5ATMA1
Part number BSC026N08NS5ATMA1
IXFT170N25X3HV
50V 170A power transistor