IXTM21N50
00V MOSFET rated at 21 Amps with 0.23 Rds
在庫:7,533
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部品番号 : IXTM21N50
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パッケージ/ケース : TO204AE-3
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Brand : IXYS
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Components Classification : Single FETs, MOSFETs
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日付シート : IXTM21N50 データシート (PDF)
概要 IXTM21N50
The IXTM21N50 High Voltage MOSFET is a top-of-the-line component that excels in demanding power switching applications. Its N-Channel configuration allows for efficient power handling, while its high voltage tolerance and current capacity make it ideal for a variety of systems. Whether you're designing a high-voltage power supply or a current regulator, this MOSFET provides the performance and reliability you need to ensure smooth operation
主な特長
- Pulse amplitude modulation
- High efficiency converter
- Ruggedized against surge
- Suitable for telecommunications applications
- Compact package design
応用
- Energy-saving design
- Low maintenance
- Robust construction
仕様
以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。
Drain-Source Voltage (V) | 500 | Maximum On-Resistance @ 25 ℃ (Ohm) | 0.25 |
Continuous Drain Current @ 25 ℃ (A) | 21 | Gate Charge (nC) | 160 |
Input Capacitance, CISS (pF) | 4200 | Thermal resistance [junction-case] (K/W) | 0.42 |
Configuration | Single | Typical Reverse Recovery Time (ns) | 600 |
Power Dissipation (W) | 300 | Sample Request | No |
保証と返品
保証、返品、および追加情報
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QAと返品ポリシー
部品の品質保証: 365 日
返品・返金:90日以内
返品・交換:90日以内
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配送と梱包
配送: たとえば、FedEx、JP、UPS、DHL、SAGAWA、YTC など。
部品パッケージ保証: 100% ESD 帯電防止機能を備えた当社のパッケージは、高い強度と優れた緩衝機能を備えています。
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