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STD18N55M5

Trans MOSFET N-CH Si 550V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

在庫：9,650

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概要 STD18N55M5

As a testament to innovation, the STD18N55M5 harnesses the best of vertical and horizontal design technologies to offer unmatched performance in power applications. Its impressively low on-resistance is a game-changer for industries seeking high-power solutions with unparalleled efficiency. From telecommunications infrastructure to electric vehicle charging stations, this N-channel Power MOSFET raises the bar for power delivery and performance

主な特長

  • Reliable and durable construction
  • Long lifespan up to 10 years
  • Environmentally friendly

応用

  • Power Management
  • Industrial

仕様

以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。

Series MDmesh™ V Product Status Active
FET Type N-Channel Technology MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 550 V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 16A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 192mOhm @ 8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 31 nC @ 10 V
Vgs (Max) ±25V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1260 pF @ 100 V
Power Dissipation (Max) 110W (Tc) Operating Temperature 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Supplier Device Package DPAK
Package / Case TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Base Product Number STD18

保証と返品

保証、返品、および追加情報

  • QAと返品ポリシー

    部品の品質保証: 365 日

    返品・返金：90日以内

    返品・交換：90日以内

  • 配送と梱包

    配送: たとえば、FedEx、JP、UPS、DHL、SAGAWA、YTC など。

    部品パッケージ保証: 100% ESD 帯電防止機能を備えた当社のパッケージは、高い強度と優れた緩衝機能を備えています。

  • 支払い

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