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STF12N65M2

Robust and efficient power switching in automotive and industrial systems

在庫：3,834

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概要 STF12N65M2

The STF12N65M2 is an N-channel Power MOSFET that is designed to deliver high performance in demanding applications. Utilizing MDmesh™ M2 technology, this device is optimized for low on-resistance and efficient switching, making it an ideal choice for high efficiency converters. The strip layout and improved vertical structure further enhance its capabilities, ensuring reliable and consistent operation in various power management systems

主な特長

  • Sustainable energy harvesting
  • Smart sensing and actuation
  • Advanced user interface design

応用

SWITCHING

仕様

以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。

Source Content uid STF12N65M2 Part Life Cycle Code Active
Ihs Manufacturer STMICROELECTRONICS Package Description TO-220FP, 3 PIN
Reach Compliance Code not_compliant ECCN Code EAR99
Factory Lead Time 52 Weeks Samacsys Manufacturer STMicroelectronics
Avalanche Energy Rating (Eas) 250 mJ Case Connection ISOLATED
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE DS Breakdown Voltage-Min 650 V
Drain Current-Max (Abs) (ID) 8 A Drain Current-Max (ID) 8 A
Drain-source On Resistance-Max 0.5 Ω FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95 Code TO-220AB JESD-30 Code R-PSFM-T3
Number of Elements 1 Number of Terminals 3
Operating Mode ENHANCEMENT MODE Operating Temperature-Max 150 °C
Operating Temperature-Min -55 °C Package Body Material PLASTIC/EPOXY
Package Shape RECTANGULAR Package Style FLANGE MOUNT
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Power Dissipation-Max (Abs) 25 W Pulsed Drain Current-Max (IDM) 32 A
Surface Mount NO Terminal Form THROUGH-HOLE
Terminal Position SINGLE Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Transistor Application SWITCHING Transistor Element Material SILICON

保証と返品

保証、返品、および追加情報

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    部品の品質保証: 365 日

    返品・返金：90日以内

    返品・交換：90日以内

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    部品のパッケージング保証: 100% ESD 帯電防止保護を特徴とする当社のパッケージングには、高い靭性と優れた緩衝機能が組み込まれています。

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