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STGE200NB60S

Trans IGBT Module N-CH 600V 200A 600W 4-Pin ISOTOP Tube

在庫：9,242

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概要 STGE200NB60S

With the STGE200NB60S, STMicroelectronics has surpassed industry standards by designing an IGBT that leverages high voltage technology and a patented strip layout. The result is a family of PowerMESH™ IGBTs that deliver exceptional performance, particularly in achieving remarkably low VCE(sat) at a maximum frequency of 1KHz. This optimization, indicated by the "S" suffix, signifies a product that is ideal for applications demanding superior efficiency and minimal power wastage

主な特長

  • High reliability and durability
  • Wide operating temperature range
  • No noise immunity required
  • Low leakage current

応用

  • Motor Drive & Control
  • Motor Drive & Control
  • Power Management

仕様

以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。

Manufacturer STMicroelectronics Product Category IGBT Modules
RoHS Details Configuration Single Dual Emitter
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 600 V Collector-Emitter Saturation Voltage 1.2 V
Continuous Collector Current at 25 C 200 A Gate-Emitter Leakage Current 100 nA
Pd - Power Dissipation 600 W Package / Case ISOTOP-4
Minimum Operating Temperature - 55 C Maximum Operating Temperature + 150 C
Brand STMicroelectronics Height 9.1 mm
Length 38.2 mm Maximum Gate Emitter Voltage 20 V
Mounting Style Through Hole Product Type IGBT Modules
Series STGE200NB60S Factory Pack Quantity 100
Subcategory IGBTs Tradename PowerMESH
Width 25.5 mm Unit Weight 1 oz

保証と返品

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    返品・返金：90日以内

    返品・交換：90日以内

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