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STGF19NC60KD

N-Channel Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) Chip

在庫:9,467

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概要 STGF19NC60KD

The STGF19NC60KD IGBTs are a testament to the power of innovation and technology. By incorporating state-of-the-art PowerMESH™ technology, these devices deliver unrivaled switching performance and low on-state behavior. This winning combination ensures that users can enjoy the best of both worlds – high-speed operation and minimal power loss. With the STGF19NC60KD, users can confidently tackle their most demanding applications with ease and efficiency

主な特長

  • Robustness against electromagnetic pulses
  • High surge immunity guaranteed
  • Pulse-by-pulse current limiting

仕様

以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。

Series PowerMESH™ Package Tube
Product Status Active Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600 V
Current - Collector (Ic) (Max) 16 A Current - Collector Pulsed (Icm) 75 A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.75V @ 15V, 12A Power - Max 32 W
Switching Energy 165µJ (on), 255µJ (off) Input Type Standard
Gate Charge 55 nC Td (on/off) @ 25°C 30ns/105ns
Test Condition 480V, 12A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 31 ns
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type Through Hole
Package / Case TO-220-3 Full Pack Supplier Device Package TO-220FP
Base Product Number STGF19

保証と返品

保証、返品、および追加情報

  • QAと返品ポリシー

    部品の品質保証: 365 日

    返品・返金:90日以内

    返品・交換:90日以内

  • 配送と梱包

    配送: たとえば、FedEx、JP、UPS、DHL、SAGAWA、YTC など。

    部品パッケージ保証: 100% ESD 帯電防止機能を備えた当社のパッケージは、高い強度と優れた緩衝機能を備えています。

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