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STGW25M120DF3

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

在庫：5,821

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概要 STGW25M120DF3

Featuring a state-of-the-art trench gate field-stop structure, the STGW25M120DF3 IGBT represents a significant leap forward in power semiconductor technology. As a part of the M series, this device offers a perfect blend of inverter system performance and energy efficiency, particularly in environments where achieving low losses and protection against short circuits are crucial considerations. Its positive VCE(sat)temperature coefficient and consistent parameter distribution ensure secure parallel operation, making it a reliable choice for applications that demand both reliability and performance

主な特長

  • Robust package design
  • Excellent thermal conductivity
  • Operating temperature range -40°C to 125°C

仕様

以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。

Source Content uid STGW25M120DF3 Part Life Cycle Code Active
Ihs Manufacturer STMICROELECTRONICS Reach Compliance Code compliant
ECCN Code EAR99 Samacsys Manufacturer STMicroelectronics
Collector Current-Max (IC) 50 A Collector-Emitter Voltage-Max 1200 V
Gate-Emitter Thr Voltage-Max 7 V Gate-Emitter Voltage-Max 20 V
Operating Temperature-Max 175 °C Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
Polarity/Channel Type N-CHANNEL Power Dissipation-Max (Abs) 375 W
Surface Mount NO Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED

保証と返品

保証、返品、および追加情報

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    部品の品質保証: 365 日

    返品・返金：90日以内

    返品・交換：90日以内

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    部品パッケージ保証: 100% ESD 帯電防止機能を備えた当社のパッケージは、高い強度と優れた緩衝機能を備えています。

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