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STGW30H65FB

Trans IGBT Chip N-CH 650V 60A 260W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

数量 単価(USD) 合計金額
1 $2.006 $2.01
10 $1.745 $17.45
30 $1.582 $47.46
100 $1.414 $141.40
500 $1.339 $669.50
1000 $1.305 $1,305.00

在庫：5,374

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概要 STGW30H65FB

Featuring an advanced trench gate field-stop structure, the STGW30H65FB product represents a significant leap forward in IGBT technology. As an integral component of the HB series, these devices offer an ideal combination of conduction and switching loss characteristics, thereby maximizing the efficiency of frequency converters across various applications. The presence of a slightly positive VCE(sat) temperature coefficient ensures consistent performance under changing thermal conditions, while the precise parameter distribution guarantees secure parallel operation

主な特長

  • Safe isolation rating
  • High insulation resistance
  • Tight tolerance to specifications

応用

POWER CONTROL

仕様

以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。

Source Content uid STGW30H65FB Part Life Cycle Code Active
Ihs Manufacturer STMICROELECTRONICS Reach Compliance Code compliant
ECCN Code EAR99 Factory Lead Time 52 Weeks
Samacsys Manufacturer STMicroelectronics Collector Current-Max (IC) 60 A
Collector-Emitter Voltage-Max 650 V Configuration SINGLE
Gate-Emitter Thr Voltage-Max 7 V Gate-Emitter Voltage-Max 20 V
JEDEC-95 Code TO-247 JESD-30 Code R-PSFM-T3
Number of Elements 1 Number of Terminals 3
Operating Temperature-Max 175 °C Operating Temperature-Min -55 °C
Package Body Material PLASTIC/EPOXY Package Shape RECTANGULAR
Package Style FLANGE MOUNT Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
Polarity/Channel Type N-CHANNEL Power Dissipation-Max (Abs) 260 W
Surface Mount NO Terminal Form THROUGH-HOLE
Terminal Position SINGLE Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Transistor Application POWER CONTROL Transistor Element Material SILICON
Turn-off Time-Nom (toff) 223 ns Turn-on Time-Nom (ton) 51.1 ns
VCEsat-Max 2 V

保証と返品

保証、返品、および追加情報

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    部品の品質保証: 365 日

    返品・返金：90日以内

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