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STGWA60H65DFB

IGBT Transistors Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 60 A high speed

在庫：6,462

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概要 STGWA60H65DFB

These devices are IGBTs developed using an advanced proprietary trench gate field-stop structure. These devices are part of the new HB series of IGBTs, which represent an optimum compromise between conduction and switching loss to maximize the efficiency of any frequency converter. Furthermore, the slightly positive VCE(sat)temperature coefficient and very tight parameter distribution result in safer paralleling operation.

主な特長

  • High precision and accuracy
  • Wide operating temperature range
  • Robust and durable construction
  • Advanced noise reduction technology
  • Safe and secure power supply

仕様

以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。

Source Content uid STGWA60H65DFB Part Life Cycle Code Active
Ihs Manufacturer STMICROELECTRONICS Package Description ,
Reach Compliance Code compliant ECCN Code EAR99
Factory Lead Time 52 Weeks Samacsys Manufacturer STMicroelectronics
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED

保証と返品

保証、返品、および追加情報

  • QAと返品ポリシー

    部品の品質保証: 365 日

    返品・返金：90日以内

    返品・交換：90日以内

  • 配送と梱包

    配送: たとえば、FedEx、JP、UPS、DHL、SAGAWA、YTC など。

    部品パッケージ保証: 100% ESD 帯電防止機能を備えた当社のパッケージは、高い強度と優れた緩衝機能を備えています。

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    特定の支払いチャネルの好みや要件がある場合は、当社の営業チームにご連絡ください。