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STQ1HNK60R-AP

Trans MOSFET N-CH 600V 0.4A 3-Pin TO-92 T/R

数量 単価(USD) 合計金額
1 $0.392 $0.39
10 $0.319 $3.19
30 $0.288 $8.64
100 $0.249 $24.90
500 $0.232 $116.00
1000 $0.222 $222.00

在庫：8,294

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概要 STQ1HNK60R-AP

These high-voltage devices are Zener-protected N-channel Power MOSFETs developed using the SuperMESH™ technology by STMicroelectronics, an optimization of the well-established PowerMESH™. In addition to a significant reduction in on-resistance, these devices are designed to ensure a high level of dv/dt capability for the most demanding applications.

主な特長

  • Extremely high dv/dt capability
  • 100% avalanche tested
  • Gate charge minimized

応用

  • Industrial
  • Power Management

仕様

以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。

Source Content uid STQ1HNK60R-AP Part Life Cycle Code Active
Ihs Manufacturer STMICROELECTRONICS Part Package Code TO-92
Package Description TO-92, 3 PIN Pin Count 3
Reach Compliance Code compliant ECCN Code EAR99
Factory Lead Time 50 Weeks Samacsys Manufacturer STMicroelectronics
Avalanche Energy Rating (Eas) 25 mJ Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
DS Breakdown Voltage-Min 600 V Drain Current-Max (Abs) (ID) 0.4 A
Drain Current-Max (ID) 0.4 A Drain-source On Resistance-Max 8.5 Ω
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR JEDEC-95 Code TO-92
JESD-30 Code O-PBCY-W3 JESD-609 Code e3
Number of Elements 1 Number of Terminals 3
Operating Mode ENHANCEMENT MODE Operating Temperature-Max 150 °C
Package Body Material PLASTIC/EPOXY Package Shape ROUND
Package Style CYLINDRICAL Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Power Dissipation-Max (Abs) 3 W Pulsed Drain Current-Max (IDM) 1.6 A
Qualification Status Not Qualified Surface Mount NO
Terminal Finish MATTE TIN Terminal Form WIRE
Terminal Position BOTTOM Transistor Application SWITCHING
Transistor Element Material SILICON

保証と返品

保証、返品、および追加情報

  • QAと返品ポリシー

    部品の品質保証: 365 日

    返品・返金：90日以内

    返品・交換：90日以内

  • 配送と梱包

    配送: たとえば、FedEx、JP、UPS、DHL、SAGAWA、YTC など。

    部品パッケージ保証: 100% ESD 帯電防止機能を備えた当社のパッケージは、高い強度と優れた緩衝機能を備えています。

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