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TPN8R903NL,LQ

DTMOS VII-H N-Type MOSFET

数量 単価(USD) 合計金額
1 $0.639 $0.64
200 $0.254 $50.80
500 $0.246 $123.00
1000 $0.242 $242.00

在庫：7,533

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概要 TPN8R903NL,LQ

N-Channel 30 V 20A (Tc) 700mW (Ta), 22W (Tc) Surface Mount 8-TSON Advance (3.1x3.1)

仕様

以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。

Manufacturer Toshiba Product Category MOSFET
RoHS Details Technology Si
Mounting Style SMD/SMT Package / Case TSON-8
Transistor Polarity N-Channel Number of Channels 1 Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 30 V Id - Continuous Drain Current 37 A
Rds On - Drain-Source Resistance 10.2 mOhms Vgs - Gate-Source Voltage - 20 V, + 20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage 2.3 V Qg - Gate Charge 9.8 nC
Minimum Operating Temperature - 55 C Maximum Operating Temperature + 150 C
Pd - Power Dissipation 22 W Channel Mode Enhancement
Tradename U-MOSVIII-H Series TPN8R903NL
Brand Toshiba Configuration Single
Fall Time 2.1 ns Height 0.85 mm
Length 3.1 mm Product Type MOSFET
Rise Time 2.4 ns Factory Pack Quantity 3000
Subcategory MOSFETs Transistor Type 1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time 14 ns Typical Turn-On Delay Time 8.3 ns
Width 3.1 mm Unit Weight 0.000705 oz
Product Status Active FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 20A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.9mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.3V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 9.8 nC @ 4.5 V
Vgs (Max) ±20V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 820 pF @ 15 V
Power Dissipation (Max) 700mW (Ta), 22W (Tc) Operating Temperature 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Supplier Device Package 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Base Product Number TPN8R903

保証と返品

保証、返品、および追加情報

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    部品の品質保証: 365 日

    返品・返金：90日以内

    返品・交換：90日以内

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