TPV8100B
TPV8100B - RF Bipolar Transistors: Amplify Your Signals with Precision
在庫:6,890
- 90日間のアフター保証
- 365日の品質保証
- 正規品保証
- 7*24時間サービス検疫
-
部品番号 : TPV8100B
-
ブランド : Advanced Semiconductor, Inc.
-
コンポーネントの分類 : Bipolar RF Transistors
-
日付シート : TPV8100B データシート (PDF)
概要 TPV8100B
Xecor Corporation は、高い汎用性と信頼性を提供します。 TPV8100B ドライバー、プロデュース Advanced Semiconductor, Inc.. 多機能かつ高性能なこのコンポーネントは、幅広い電子プロジェクトに最適です。
このコンポーネントを最大限に活用するために必要な情報をすべて確実に入手できるように、Xecor は無料のデータシート PDF、回路図、ピン レイアウト、ピンの詳細、ピンの電圧定格、および同等のコンポーネントを提供しています。 TPV8100B.
Xecor では無料サンプルも提供しています。サンプルリクエストフォームに記入して送信するだけで、テスト用の無料サンプルを受け取ることができます。ご不明な点がございましたら、いつでもお気軽にお問い合わせください。
仕様
以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。
Product Category | RF Bipolar Transistors | RoHS | Details |
Transistor Type | Bipolar Power | Technology | Si |
Transistor Polarity | NPN | Operating Frequency | 860 MHz |
DC Collector/Base Gain hfe Min | 30 | Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 30 V |
Emitter- Base Voltage VEBO | 4 V | Continuous Collector Current | 12 A |
Minimum Operating Temperature | - 65 C | Maximum Operating Temperature | + 200 C |
Mounting Style | Screw Mount | Package / Case | 398-03 |
Brand | Advanced Semiconductor, Inc. | Pd - Power Dissipation | 215 W |
Product Type | RF Bipolar Transistors | Subcategory | Transistors |
Type | RF Bipolar Power |
保証と返品
保証、返品、および追加情報
-
QAと返品ポリシー
部品の品質保証: 365 日
返品・返金:90日以内
返品・交換:90日以内
-
配送と梱包
配送: たとえば、FedEx、JP、UPS、DHL、SAGAWA、YTC など。
部品パッケージ保証: 100% ESD 帯電防止機能を備えた当社のパッケージは、高い強度と優れた緩衝機能を備えています。
-
支払い
たとえば、VISA、MasterCard、Western Union、PayPal、MoneyGram、楽天ペイなどのチャネルです。
特定の支払いチャネルの好みや要件がある場合は、当社の営業チームにご連絡ください。
![STP6NK90ZFP](/files/uploads/product/s/098ecece46424c449de102e359e313f5.webp)
STP6NK90ZFP
N-Channel MOSFET with 900V and 1.56ohms Zener SuperMESH technology, rated for 5.8A
![TPDV1240RG](/files/uploads/product/s/08ec2ca175e94f329e2245c62e1ac637.webp)
TPDV1240RG
1200V TPDV1240RG Triac with 1.5V Gate Trigger and 200mA Current
![HGTP10N120BN](/img/package/to220.jpg)
HGTP10N120BN
This IGBT NPT, known as HGTP10N120BN, has a power dissipation of 298 W and features a TO-220-3 Through Hole package
![HGTP20N60C3](/img/package/to220.jpg)
HGTP20N60C3
HGTP20N60C3 - Transistors: Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBT)
![HGTP7N60A4](/img/package/to220.jpg)
HGTP7N60A4
Trans IGBT Chip N-CH 600V 34A 125W 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
![MCAC90N10Y-TP](/img/package/power33.jpg)
MCAC90N10Y-TP
Compliant with ROHS standards, MCAC90N10Y-TP is a reliable choice for electronic systems requiring high voltage and current handling capabilities
![SIL2308-TP](/img/package/sot23.jpg)
SIL2308-TP
Power transistor with 5A current capability, 20V voltage rating, and 0.025ohm resistance
![STP10NK80ZFP](/img/package/to-220f.jpg)
STP10NK80ZFP
channel power MOSFET
![STP120NF10](/img/package/to220.jpg)
STP120NF10
STP120NF10 is an N-channel TO-220 MOSFET with a voltage rating of 100V
![STP11NM60FD](/img/package/to220.jpg)
STP11NM60FD
TO-220 package with tab for easy mounting on circuit boards
![DN2625DK6-G](/img/package/dfn8.jpg)
DN2625DK6-G
Trans MOSFET N-CH Si 250V 1.1A 8-Pin DFN EP Tray
![NTJD4105CT1G](/files/uploads/product/s/e3f4e8ecd913489abf3eab0f59073c0a.webp)
NTJD4105CT1G
SOT-363-6 MOSFETs ROHS
![FZT853TA](/img/package/sot223.jpg)
FZT853TA
FZT853TA is a ROHS-compliant SOT-223-4 package bipolar transistor designed for various electronic applications
![ESM5045DV](/img/package/sot.jpg)
ESM5045DV
4-Pin Tube Style Darlington Transistor with 175W Power Dissipation
![2SC5658T2LQ](/img/package/mt200.jpg)
2SC5658T2LQ
2SC5658T2LQ: NPN BJT Transistors, 50V, 0.15A
![AON6232](/img/package/power33.jpg)
AON6232
AON6232 is a DFN-8L(5x6) MOSFET with 85A current rating at 40V
![IRF9332PBF](/img/package/soic8.jpg)
IRF9332PBF
332PBF is a reliable and efficient P-channel MOSFET transistor
![AT-64020](/img/package/smd.jpg)
AT-64020
Established in 1988 as a leading French electronic distributor
![IXTM24N50](/files/uploads/product/s/19a8ff5ca1e04374b45c5f4c6e3d33ce.webp)
IXTM24N50
3-pin TO-204AE Silicon MOSFET in N-channel configuration with maximum ratings of 500V and 24A
![TN0200T](/img/package/sot23.jpg)
TN0200T
A MOSFET component engineered for a voltage of 20V, with a current handling capacity of 1.2A and a power dissipation of 0.35W