UPA1763G-E2-A
Power MOSFETs for Automotive Applications in SOP Package (Product UPA1763G-E2-A)
在庫：9,601
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部品番号 : UPA1763G-E2-A
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パッケージ/ケース : SOP-8
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ブランド : Renesas Electronics Corporation
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コンポーネントの分類 : FET, MOSFET Arrays
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日付シート : UPA1763G-E2-A データシート (PDF)
概要 UPA1763G-E2-A
Support is limited to customers who have already adopted these products.
Nch Dual Power MOSFET 60V 4. 5A 47. 0mohm Power SOP8 Automotive
主な特長
- Dual chip type
- Low on-resistance
- RDS(on)1 = 47.0 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 2.3 A)
- RDS(on)2 = 57.0 mΩ MAX. (VGS = 4.5 V, ID = 2.3 A)
- RDS(on)3 = 66.0 mΩ MAX. (VGS = 4.0 V, ID = 2.3 A)
- Low input capacitance
- Ciss = 870 pF TYP.
- Built-in G-S protection diode
- Small and surface mount package (Power SOP8)
仕様
以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。
| Package | Tape & Reel (TR) | Product Status | Obsolete |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.5A |
保証と返品
保証、返品、および追加情報
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QAと返品ポリシー
部品の品質保証: 365 日
返品・返金：90日以内
返品・交換：90日以内
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配送と梱包
配送: たとえば、FedEx、JP、UPS、DHL、SAGAWA、YTC など。
部品パッケージ保証: 100% ESD 帯電防止機能を備えた当社のパッケージは、高い強度と優れた緩衝機能を備えています。
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支払い
たとえば、VISA、MasterCard、Western Union、PayPal、MoneyGram、楽天ペイなどのチャネルです。
特定の支払いチャネルの好みや要件がある場合は、当社の営業チームにご連絡ください。
UPD784031GC-8BT-A
Versatile solution for complex control tasks
FGH40T65UPD
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PMZ350UPEYL
Trans MOSFET P-CH 20V 1A 3-Pin DFN T/R
FGH50T65UPD
Trans IGBT Chip N-CH 650V 100A 340W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
PMV75UP,215
Channel Mosfet Surface Mount Trench
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UPA1919TE-T1-AT
Automotive Power MOSFETs
VS-GA200SA60UP
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SUP90P06-09L-E3
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IRF7493TRPBF
Power MOSFET designed for applications requiring high current and low resistance
SI7852DP-T1-GE3
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RD3P130SPTL1
Pch Power MOSFET with a voltage rating of -100V and current rating of -13A
NTMD3P03R2G
Dual P−Channel SOIC−8 Power MOSFET capable of handling 3.05 Amps and operating at -30 Volts
BSC098N10NS5ATMA1
100V power MOSFET with OptiMOS 5 technology
SI4840DY-T1-E3
SI4840DY-T1-E3 is the suggested replacement for SI4840BDY-GE3 MOSFET
SQJ422EP-T1_GE3
MOSFET -40V 75A 83W AEC-Q101 Qualified
AFT05MS003NT1
NXP - AFT05MS003NT1 - TRANSISTOR, RF, 30V, SOT-89-3
T1210-800G-TR
The housing of T1210-800G-TR is D2PAK, designed for logic-level operation, capable of conducting a current of 12 A, with an ignition voltage of 1
SI4431DY
Channel SO MOSFET Transistor