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VS-GA200SA60UP

IGBT transistors, operating as N-channel devices, designed to handle up to 600 volts and 100 amps of current

在庫：7,856

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概要 VS-GA200SA60UP

The VS-GA200SA60UP is a powerful IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) designed for high-current, high-voltage applications. With a collector current of 200A and a collector-emitter voltage of 600V, this transistor is capable of handling significant electrical loads. The transistor package, ISOTOP, ensures efficient heat dissipation, allowing for a power dissipation of 500W without overheating

主な特長

  • Gen 4 IGBT technology
  • Standard: optimized for hard switching speed
  • Very low conduction losses
  • Industry standard package
  • UL approved file E78996
  • Designed and qualified for industrial level

仕様

以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。

Product Category IGBT Transistors RoHS Details
Technology Si Package / Case SOT-227-4
Mounting Style SMD/SMT Configuration Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 600 V Maximum Gate Emitter Voltage - 20 V, + 20 V
Minimum Operating Temperature - 55 C Maximum Operating Temperature + 150 C
Brand Vishay Semiconductors Continuous Collector Current Ic Max 200 A
Height 12.3 mm Length 38.3 mm
Product Type IGBT Transistors Factory Pack Quantity 10
Subcategory IGBTs Width 25.7 mm
Part # Aliases GA200SA60UP Unit Weight 1.058219 oz

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