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2N2222 PBFREE

Trans GP BJT NPN 30V 0.8A 500mW 3-Pin TO-18

在庫：8,963

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概要 2N2222 PBFREE

Bipolar (BJT) Transistor NPN 30 V 800 mA 250MHz 500 mW Through Hole TO-18

仕様

以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。

Manufacturer Central Semiconductor Product Category Bipolar Transistors - BJT
RoHS Details Mounting Style Through Hole
Package / Case TO-18-3 Transistor Polarity NPN
Configuration Single Collector- Emitter Voltage VCEO Max 30 V
Collector- Base Voltage VCBO 60 V Emitter- Base Voltage VEBO 5 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 1.6 V Maximum DC Collector Current 800 mA
Pd - Power Dissipation 500 mW Gain Bandwidth Product fT 250 MHz
Minimum Operating Temperature - 65 C Maximum Operating Temperature + 200 C
Brand Central Semiconductor Continuous Collector Current 800 mA
DC Collector/Base Gain hfe Min 100 DC Current Gain hFE Max 300
Product Type BJTs - Bipolar Transistors Factory Pack Quantity 2000
Subcategory Transistors Unit Weight 0.063425 oz

保証と返品

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