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STD2NB80T4

N-Channel MOSFET with voltage rating of 800 volts and current rating of 1.9 amps

在庫：9,835

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概要 STD2NB80T4

STD2NB80T4 is a Power MOSFET transistor from STMicroelectronics. It is a N-channel enhancement mode field-effect transistor designed for high voltage and high-switching speed applications. The STD2NB80T4 has a maximum drain-source voltage of 800V, making it suitable for various power supply and motor control applications. It has a low on-state resistance of 2.8 ohms, which enables efficient power switching and minimal power losses. This MOSFET features a high dv/dt capability, allowing for fast switching speeds and high efficiency in power electronics designs. It also has a low gate charge of 6.3nC, which helps reduce switching losses and improve overall system efficiency. The STD2NB80T4 is housed in a TO-252 package, which provides good thermal performance and easy mounting on PCBs. It operates over a wide temperature range of -55°C to 175°C, making it suitable for harsh industrial environments.

主な特長

  • Higher surge current capacity
  • Faster response time
  • Improved noise immunity
  • Simplified application design

応用

  • Electric vehicle charging
  • Solar power inverters
  • Battery management systems

仕様

以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。

Product Category MOSFET RoHS N
Technology Si Mounting Style SMD/SMT
Package / Case TO-252-3 Transistor Polarity N-Channel
Number of Channels 1 Channel Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 800 V
Id - Continuous Drain Current 1.9 A Rds On - Drain-Source Resistance 6.5 Ohms
Vgs - Gate-Source Voltage - 30 V, + 30 V Minimum Operating Temperature - 65 C
Maximum Operating Temperature + 150 C Pd - Power Dissipation 55 W
Channel Mode Enhancement Series STD2NB80
Brand STMicroelectronics Configuration Single
Fall Time 17 ns Height 2.4 mm
Length 6.6 mm Product Type MOSFET
Rise Time 10 ns Factory Pack Quantity 2500
Subcategory MOSFETs Transistor Type 1 N-Channel
Type MOSFET Typical Turn-On Delay Time 12 ns
Width 6.2 mm Unit Weight 0.011640 oz

保証と返品

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