APT200GN60J
N-type Transistor Insulated Gate Bipolar Junction Transistor (IGBT) Module rated for 600V voltage
在庫：7,096
- 90日間のアフター保証
- 365日の品質保証
- 正規品保証
- 7*24時間サービス検疫
-
部品番号 : APT200GN60J
-
パッケージ/ケース : SOT227-4
-
Brand : Microchip Technology
-
Components Classification : IGBT Modules
-
日付シート : APT200GN60J データシート (PDF)
概要 APT200GN60J
IGBT-FIELDSTOP-600V is a family of Field Stop IGBT with ultra low VCE(ON). The family is available in various current and package options
主な特長
仕様
以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。
| Product Type | Discrete IGBT | Package Type(s) | D3PAK, SOT-227, T-MAX, TO-247, TO-264, TO-264-MAX |
| Power Dissipation (W) [max] | 136 - 682 | Collector Current (dc) (A) [max] | 24 - 158 |
保証と返品
保証、返品、および追加情報
-
QAと返品ポリシー
部品の品質保証: 365 日
返品・返金：90日以内
返品・交換：90日以内
-
配送と梱包
配送: たとえば、FedEx、JP、UPS、DHL、SAGAWA、YTC など。
部品パッケージ保証: 100% ESD 帯電防止機能を備えた当社のパッケージは、高い強度と優れた緩衝機能を備えています。
-
支払い
たとえば、VISA、MasterCard、Western Union、PayPal、MoneyGram、楽天ペイなどのチャネルです。
特定の支払いチャネルの好みや要件がある場合は、当社の営業チームにご連絡ください。
APT25GT120BRDQ2G
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 54A 347W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
BC847QAPNZ
Trans GP BJT NPN/PNP 45V 0.1A 350mW Automotive AEC-Q101 6-Pin DFN-B EP T/R
NDS352AP
0V 0.9A P-Channel SuperSOT MOSFET Transistor
APT8015JVFR
High-power single transistor module APT8015JVFR with 800V voltage rating
APT8011JFLL
APT8011JFLL MOSFET with 800V Power and 4-Pin SOT-227 Configuration
IRFPS37N50APBF
Transistor MOSFET N-CH 500V 36A 3-Pin TO-274AA T/R
IRFBC40APBF
Trans MOSFET N-CH 600V 6.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
APT8015JVR
Product APT8015JVR is an N-channel MOSFET featuring a maximum voltage of 800 volts and a maximum current of 44 amps
APT28M120B2
Packaged in a T-MAX tube
APT100M50J
APT100M50J represents a discrete semiconductor module utilizing MOSFET components
FQU1N60CTU
N-Channel MOSFET with 600V maximum voltage and 1A current rating in 3-Pin IPAK package
ZXMN10A07ZTA
ZXMN10A07ZTA: Transistor MOSFET, N-channel, capable of handling 100 volts and 1 ampere, housed in a 4-pin SOT-89 package
STF11NM60N
The STF11NM60N is a 3-pin (3+Tab) N-channel MOSFET designed for applications requiring high voltage (up to 600V) and moderate current (10A)
FDC3616N
100V PowerTrench MOSFET for efficient power handling
IXFN24N100
IXFN24N100 MOSFET with N-type polarity in SOT-227B housing
IRFS3107PBF
N-Channel MOSFET IRFS3107PBF from INFINEON, featuring 75V voltage capacity and D2PAK enclosure
UMD9NTR
NPN/PNP Digital Transistors 50V 70MA
IRFY140
TO-257AA packaged N-channel MOSFET transistor with a 100V maximum voltage and 16A maximum current
AUIRFR120Z
AUIRFR120Z is compliant with ROHS regulations, ensuring it meets environmental standards
IRG4PSC71K
Power Semiconductor Component for Circuit Design