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APT50M50JVFR

Four-pin SOT-227 package

在庫：8,018

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概要 APT50M50JVFR

The APT50M50JVFR is a high-power RF gallium-nitride (GaN) transistor designed for use in radar and communication applications. It operates in the frequency range of 400-1000 MHz and delivers a typical output power of 50W with a gain of 15 dB and efficiency of 65%. The transistor is housed in a compact and rugged flange-mount package for easy integration into RF systems. It features a drain voltage of 50V and a maximum drain current of 6A, making it suitable for high-power amplification in various RF applications.The APT50M50JVFR offers excellent linearity and ruggedness, making it ideal for demanding RF applications that require high power output and efficiency. Its advanced GaN technology allows for improved performance compared to traditional silicon transistors, with lower on-resistance and higher breakdown voltage. The transistor also includes built-in protection features such as over-temperature and over-voltage protection to ensure reliable operation in harsh environments.

主な特長

  • The lightweight material
  • Provides excellent breathability
  • Fully adjustable straps
  • Magnetic buckle for easy fastening
  • Durable and long-lasting
  • Ergonomic design for comfort
  • Padded shoulder straps for added support
  • Reflective strips for increased visibility

応用

  • Industrial power solutions
  • Solar inverter systems
  • Battery management tech

仕様

以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。

Product Type Silicon Discrete MOSFET Continuous Drain Current at 25°C (A) [max] 22 - 103
Package Type(s) D3PAK, SOT-227, T-MAX, TO-247, TO-264 Continuous Drain Current at 25°C [I(D)] (A) [family max] 103

保証と返品

保証、返品、および追加情報

  • QAと返品ポリシー

    部品の品質保証: 365 日

    返品・返金：90日以内

    返品・交換：90日以内

  • 配送と梱包

    配送: たとえば、FedEx、JP、UPS、DHL、SAGAWA、YTC など。

    部品パッケージ保証: 100% ESD 帯電防止機能を備えた当社のパッケージは、高い強度と優れた緩衝機能を備えています。

  • 支払い

    たとえば、VISA、MasterCard、Western Union、PayPal、MoneyGram、楽天ペイなどのチャネルです。

    特定の支払いチャネルの好みや要件がある場合は、当社の営業チームにご連絡ください。