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APT53F80J

N-channel 800V 57A Power MOSFET in SOT-227 Package

在庫：7,447

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概要 APT53F80J

With its impressive peak gain of 17 dB and 80-volt drain-source voltage, the APT53F80J guarantees optimal power amplification, ensuring that applications run smoothly and efficiently. Furthermore, its high linearity and gain characteristics make it a perfect fit for RF power amplifier circuits, seamlessly integrating to deliver top-notch performance. The built-in protection circuits provide added security against overcurrent and overtemperature issues, offering peace of mind and long-lasting reliability for users

主な特長

    仕様

    以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。

    Series POWER MOS 8™ Package Tube
    Product Status Active FET Type N-Channel
    Technology MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 800 V
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 57A (Tc) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs 110mOhm @ 43A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 5mA
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 570 nC @ 10 V Vgs (Max) ±30V
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 17550 pF @ 25 V Power Dissipation (Max) 960W (Tc)
    Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type Chassis Mount
    Supplier Device Package ISOTOP® Package / Case SOT-227-4, miniBLOC
    Base Product Number APT53F80

    保証と返品

    保証、返品、および追加情報

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    IXTQ69N30P

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    Low on-resistance of 0.049 Rds