IXTQ69N30P

Name: IXTQ69N30P
Brand: Ixys Integrated Circuits Division
Rating: 4.5 (10 reviews)

Low on-resistance of 0.049 Rds

在庫：4,815

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N-Channel 300 V 69A (Tc) 500W (Tc) Through Hole TO-3P

SWITCHING

以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。

Product Category	MOSFET	RoHS	Details
Technology	Si	Mounting Style	Through Hole
Package / Case	TO-3P-3	Transistor Polarity	N-Channel
Number of Channels	1 Channel	Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	300 V
Id - Continuous Drain Current	69 A	Rds On - Drain-Source Resistance	49 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage	- 20 V, + 20 V	Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	2.5 V
Qg - Gate Charge	180 nC	Minimum Operating Temperature	- 55 C
Maximum Operating Temperature	+ 150 C	Pd - Power Dissipation	500 W
Channel Mode	Enhancement	Series	IXTQ69N30
Brand	IXYS	Configuration	Single
Fall Time	27 ns	Height	20.3 mm
Length	15.8 mm	Product Type	MOSFET
Rise Time	25 ns	Factory Pack Quantity	30
Subcategory	MOSFETs	Transistor Type	1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time	75 ns	Typical Turn-On Delay Time	25 ns
Width	4.9 mm	Unit Weight	0.194007 oz

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